Патенты автора Айнбунд Михаил Рувимович (RU)

Изобретение относится к конструкциям и способам изготовления фотокатодов повышенной чувствительности, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Данные фотокатоды используются для фотоэлектронных приборов, применяемых в исследовательских целях, в промышленности, для специальных назначений и пр. Технический результат - увеличение внешнего квантового выхода фотокатода за счет снижения рекомбинации фотоэлектронов на границе раздела с подложкой. Фотокатод повышенной чувствительности состоит из подложки, фотоэмиссионного слоя и промежуточного слоя для увеличения потенциального барьера между подложкой и фотоэмиссионным слоем, отличается тем, что фотоэмиссионный слой выполнен из теллурида цезия - Cs2Te, а промежуточный слой для увеличения потенциального барьера между подложкой и фотоэмиссионным слоем выполнен на основе йодида цезия - CsI. Способ изготовления фотокатода повышенной чувствительности заключается в нанесении на подложку проводящего материала (Cr, Mo, W), нанесении на поверхность Те, обработке этой поверхности парами Cs для получения Сs2Те фотокатода, отличается тем, что между проводящим материалом и фотокатодом наносят слой щелочного металла и обрабатывают его парами йода I для получения промежуточного слоя йодистого цезия CsI, обеспечивающего создание потенциального барьера между подложкой и фотокатодом. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к гибридным фоточувствительным приборам, предназначенным для регистрации излучения малой интенсивности. Технический результат - обеспечение функции стробирования гибридного фоточувствительного прибора при больших напряжениях. Технический результат достигается за счет того, что высоковольтный гибридный фоточувствительный прибор для регистрации излучений малой интенсивности содержит последовательно расположенные в вакуумном корпусе фотокатод, проводящую сетку, выполненную из материала с низким коэффициентом вторичной эмиссии, электронно-чувствительную матрицу формирования изображения, а также расположенный за пределами вакуумного корпуса блок питания для подачи напряжения на фотокатод, сетку и матрицу, обеспечивающий подачу переменного напряжения противоположных полярностей между фотокатодом и сеткой для запирания и отпирания фотокатода.1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для крепления деталей внутри вакуумного корпуса, например, для крепления полупроводниковых структур фотокатодов на подложке к входному окну прибора. Технический результат - уменьшение дефектов, возникающих при сочленении, а так же расширение спектра используемых материалов. Способ крепления деталей внутри вакуумных приборов заключается в том, что на тыльную сторону со стороны подложки первой детали, представляющей собой полупроводниковую структуру, по периметру припоем индия или его сплавами наносят паттерн в виде отдельных зон, не образующий замкнутую кривую, при необходимости между отдельными зонами паттерна измеряют вольтамперную характеристику, затем зоны соединяют индием или его сплавами, чтобы увеличить площадь сочленения, оставляя как минимум один разрыв для последующей откачки газа в зазоре между сочленяемыми деталями, затем помещают структуру на предварительно облуженную в соответствующих местах вторую деталь, после чего детали сочленяют, сдавливая и нагревая в вакууме в горизонтальном положении до температуры 200-250°C, при этом используют оправки: центрователь и давитель. 3 ил.
Использование: для изготовления фотокатодов, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Сущность изобретения заключается в том, что на подложку наносят слой нещелочного металла, очувствляют его как минимум одним щелочным металлом, после этого, с целью увеличения квантового выхода, последовательно напыляют и очувствляют не менее 20 слоев нещелочного металла до прекращения роста максимума фототока при очувствлении. Технический результат: обеспечение возможности повышения квантового выхода и чувствительности фотокатода. 6 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к высоковольтным фоточувствительным приборам проксимити типа. Технический результат - обеспечение электрической прочности и повышение пробивного напряжения прибора без существенного увеличения габаритов корпуса. Высоковольтный фоточувствительный прибор проксимити типа состоит из вакуумного герметичного корпуса, входного окна с фотокатодом и приближенного к нему анода, с изолятором и соответствующими контактными кольцами для подачи напряжения между фотокатодом и анодом. Контактное кольцо фотокатода расположено между боковой поверхностью изолятора и боковой поверхностью входного окна, внешняя поверхность изолятора выполнена ребристой, а внутренняя поверхность изолятора выполнена со ступенчатыми выступами внутрь корпуса для увеличения площади поверхности изолятора. 1 ил.

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к способам изготовления и герметизации вакуумных приборов. Технический результат - повышение качества изготавливаемого вакуумного прибора за счет отсутствия выступающих частей на его корпусе, снижение трудоемкости и повышение технологичности изготовления прибора. Корпус прибора располагают в вакуумной камере на держателе отверстием вверх, при этом ось отверстия располагается вертикально, а после откачки прибора и обезгаживания его в вакуумной камере производят герметизацию отверстия в корпусе путем нанесения на него герметизирующего материала, например капли индия. Вакуумная камера для изготовления прибора снабжена устройством дозированной подачи герметизирующего материала, которое содержит конусный цилиндр, с герметизирующим материалом, снабженный отверстием в нижней части и закрывающим это отверстие фиксирующим элементом. После прогрева прибор перемещают под устройство нанесения герметизирующего материала, совмещая ось отверстия корпуса прибора с осью отверстия конусного цилиндра устройства дозированной подачи герметизирующего материала. Фиксирующий элемент открывает отверстие, при этом дозированная порция герметизирующего материала капает на расположенное под устройством отверстие корпуса прибора, надежно герметизируя его. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Входное окно предназначено для использования в вакуумных фотоэлектронных приборах проксимити типа. Технический результат - упрощение технологии изготовления входного окна, в том числе для фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур, а также обеспечение значительного коэффициента усиления фотоэлектронных приборов типа проксимити при увеличении их электрической прочности и повышении пробивного напряжения. Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов типа проксимити выполнено чашеобразной формы, составным, включающим боковую часть конусообразной формы, имеющую ступенчатый выступ со стороны меньшего диаметра, и плоское дно, имеющее ступенчатый выступ вдоль края, соединенные посредством примыкания соответствующих ступенчатых выступов друг к другу, причем соединение зафиксировано индиевым уплотнением. 2 ил.

Изобретение относится к гибридным фоточувствительным приборам, предназначенным для регистрации изображений низкого уровня освещенности. Технический результат - увеличение коэффициента усиления гибридного фоточувствительного прибора, отношения сигнал/шум, улучшение разрешающей способности, обеспечение электрической прочности и повышение пробивного напряжения корпуса. Гибридный фоточувствительный прибор состоит из вакуумного герметичного корпуса, входного окна с фотокатодом и расположенного напротив фотокатода анода, представляющего собой основание с закрепленной на нем электронно-чувствительной матрицей формирования изображения, с соответствующими средствами обеспечения ускоряющего напряжения между фотокатодом и анодом, а также средствами считывания сигнала с матрицы и вывода его за пределы герметичного корпуса. Входное окно прибора выполнено чашеобразной формы, выступающей внутрь корпуса по направлению к матрице формирования изображения, с плоским дном, на которое нанесен фотокатод, с боковой частью в форме боковой поверхности усеченного конуса и с выступающим краем, служащим для крепления входного окна к вакуумному герметичному корпусу. 1 ил.

 


Наверх