Патенты автора Подоскин Александр Александрович (RU)

Настоящее изобретение относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазер-тиристор на основе гетероструктуры содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа (2), широкозонный слой n-типа (3), анодную область (4), включающую контактный слой р-типа (5), широкозонный слой р-типа (6), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), примыкающую к широкозонному слою катодной области (1), включающую первый слой р-типа (8), вторую базовую область (9), примыкающую к первой базовой области (7), включающую по меньшей мере один широкозонный слой n-типа (10), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим электроны в активную область (13), волноводную область (12), расположенную между анодной областью (4) и второй базовой областью (9), включающую квантоворазмерную активную область (13), резонатор, образованный сколотой гранью (14) с просветляющим покрытием и сколотой гранью (15) с отражающим покрытием, первый омический контакт (16) к анодной области (4), сформированный со стороны свободной поверхности контактного слоя р-типа (5), и формирующий область инжекции через активную область (13) второй омический контакт (18) к катодной области (1), сформированный со стороны свободной поверхности подложки (2) n-типа, мезаканавку (11), вытравленную до второй базовой области (9), расположенную вдоль первого омического контакта (16), третий омический контакт (20) ко второй базовой области (9), расположенный на дне (17) мезаканавки (11). Между слоем (3) катодной области (1) и первым слоем р-типа проводимости (8) первой базовой области (7) расположен второй слой р-типа проводимости (21). Параметры материалов слоев первой и второй базовых областей удовлетворяют определенным выражениям. Технический результат заключается в обеспечении возможности повышения частоты повторения без снижения пиковой мощности лазерных импульсов. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к радиофотонике. Радиофотонный оптоволоконный модуль включает лазерный источник оптического сигнала СВЧ импульсов, две сборки последовательно соединенных СВЧ фотодетекторов и три оптических разветвителя, вторичные оптоволокна первого оптического разветвителя оптически стыкованы с последовательно соединенными фотодетекторами первой сборки фотодетекторов, вторичные оптоволокна второго оптического разветвителя оптически стыкованы с последовательно соединенными фотодетекторами второй сборки фотодетекторов, обе сборки фотодетекторов образуют параллельное встречное соединение, а места соединений сборок фотодетекторов подключены через СВЧ тракт к антенне, первичное волокно третьего разветвителя (1×2) оптически стыковано с лазерным источником оптического сигнала СВЧ импульсов, а вторичные два оптоволокна третьего разветвителя имеют разную длину и оптически стыкованы с первичными оптоволокнами первого и второго оптических разветвителей. Технический результат - увеличение коэффициента полезного действия антенны. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для создания инжекционного лазера. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер включает выращенную на подложке лазерную гетероструктуру, содержащую активную область, заключенную между первым и вторым волноводными слоями, к которым с внешней стороны примыкают соответственно слой широкозонного эмиттера р-типа проводимости и слой широкозонного эмиттера n-типа проводимости, являющиеся ограничительными слоями, полосковый омический контакт, примыкающий к внешней стороне широкозонного эмиттера р-типа проводимости, сплошной омический контакт, примыкающий к внешней стороне подложки, область инжекции под полосковым омическим контактом, заключенную между пассивными областями, при этом в одной из пассивных областей расположена рельефная структура, рельефная структура выполнена на внешней стороне по меньшей мере одной пассивной области в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры, на расстоянии от ближайшей границы области инжекции с пассивной областью не менее 0,1 W, где W - ширина области инжекции, мкм, величина амплитуды рельефной структуры равна не менее 10λ, где λ - рабочая длина волны инжекционного лазера в свободном пространстве, мкм, а отношение амплитуды рельефной структуры к ее периоду равно не менее 2. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологии изготовления при сохранении увеличенной выходной оптической мощности как в непрерывном, так и в импульсном режимах токовой накачки. 5 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил.

Использование: для получения управляемой последовательности мощных лазерных импульсов. Сущность изобретения заключается в том, что лазер-тиристор содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2), широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4), включающую контактный слой p-типа проводимости (5), широкозонный слой p-типа проводимости (6), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), слой p-типа проводимости (8), вторую базовую область (9), слой n-типа проводимости (10), волноводную область (12), оптический Фабри-Перо резонатор, образованный естественно сколотой гранью (14) с нанесенным просветляющим покрытием и естественно сколотой гранью (15), первый омический контакт (16), второй омический контакт (18), мезаканавку (19), третий омический контакт (20), при этом параметры материалов слоев первой и второй базовых областей удовлетворяют определенным выражениям. Технический результат: обеспечение возможности увеличения пиковой выходной оптической мощности и снижение амплитуды сигнала управления. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для управления лазерным излучением. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер с многоволновым модулированным излучением на основе гетероструктуры содержит первый оптический Фабри-Перо резонатор, ограниченный с одной стороны первым отражателем, с другой стороны первым распределенным Брэгговским зеркалом, формирующим второй отражатель, второй оптический Фабри-Перо резонатор, ограниченный с одной стороны первым отражателем, с другой стороны третьим отражателем, секцию усиления, общую область усиления, секцию управления, область поглощения, первый омический контакт, второй омический контакт, третий омический контакт, элемент, обеспечивающий электрическую изоляцию, первый оптический Фабри-Перо резонатор оптически связан со вторым оптическим Фабри-Перо резонатором через часть волноводного слоя, при этом отражатели формируют такие спектры оптических потерь на выход, при которых выполняется заданное условие. Гетероструктура инжекционного лазера с многоволновым модулированным излучением включает волноводный слой, заключенный между широкозонным эмиттером p-типа проводимости и широкозонным эмиттером n-типа проводимости, активную область, состоящую по меньшей мере из одного квантово-размерного активного слоя, подложку. Технический результат: обеспечение возможности изменения выходной оптической мощности, длины волны генерации, заужение спектра лазерной генерации, повышение энергетической эффективности, снижения времени включения и выключения излучаемых лазерных импульсов. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: усиление оптического излучения. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковый усилитель оптического излучения включает гетероструктуру, выраженную на подложке n-типа проводимости, состоящую из широкозонных эмиттеров n-типа проводимости и p-типа проводимости, волноводный слой, активную область, включающую по меньшей мере один квантово-размерный активный слой, грани, ограничивающие кристалл в направлении поперек слоям гетероструктуры, первый омический контакт на внешней стороне подложки и по меньшей мере один второй омический контакт, расположенный со стороны эмиттера p-типа проводимости и формирующий область усиления и область инжекции, область поглощения, расположенную вне области усиления, при этом области усиления и области поглощения оптически связаны по меньшей мере через часть волноводного слоя, общего для областей усиления и поглощения, к области поглощения сформирован по меньшей мере один третий омический контакт, расположенный со стороны эмиттера р-типа проводимости и геометрические размеры которого определяют согласно заданному соотношению. Электрическая изоляция второго омического контакта и третьего омического контакта обеспечивается вытравленной мезаканавой или стравливанием части эмиттера р-типа проводимости. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологии процессов, увеличение оптической мощности входного лазерного импульса. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

 


Наверх