Патенты автора Григорьев Николай Геннадьевич (RU)
ТЕСТОВЫЙ БЛОК КОЛЬЦЕВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МЕТАЛ-ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ТРАНЗИСТОРАХ // 2725333
Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание тестового блока кольцевых генераторов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с повышенной универсальностью вследствие возможности тестирования радиационной стойкости логических элементов при воздействии отдельных ядерных частиц. Технический результат достигается за счет наличия двух кольцевых генераторов, содержащих тестируемые логические элементы, а также наличия двухвходового элемента «И» и элемента «исключающее ИЛИ» (схема сравнения), входы которых соединены с выходами кольцевых генераторов. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении устойчивости к одиночным сбоям. Радиационно-стойкое статическое оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах содержит блоки адресных формирователей, блоки буферных формирователей данных, схему управления, схему разрешения выходов, два накопителя, два блока обнаружения и исправления ошибок, блок формирователей адресных и управляющих сигналов, при этом каждый накопитель выполнен в виде матрицы ячеек памяти и содержит блоки, состоящие из базовых субблоков, которые содержат разрядные секции основных разрядов и разрядные секции контрольных разрядов, которые относятся к разным словам и конструктивно расположены таким образом, что разряды одного слова разнесены на расстояние, достаточное для исключения многократных сбоев в разрядах шины данных, относящихся к одному информационному слову. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с повышенной стойкостью к внешним радиационным факторам. Радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах содержит подложку р-типа и «карман» n-типа, активные области триггерных транзисторов n- и р-типов и управляющих транзисторов n-типов, причем дополнительно содержит контакты р+ и n+ к подложке и «карману», подключенные к шинам нулевого потенциала и питания соответственно и располагающиеся в каждом элементе матрицы памяти рядом с границей между подложкой и «карманом», между смежными элементами памяти одной строки и между внутренними узлами триггера элемента памяти, при этом длина и ширина канала n-канальных и р-канальных транзисторов триггера элемента памяти увеличены. 4 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, выполненных по технологии объемного кремния, с повышенной стойкостью к внешним радиационным факторам. Радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах содержит подложку p-типа и «карман» n-типа, активные области триггерных транзисторов n-типа и p-типа и управляющих транзисторов n-типов, а также дополнительно содержит контакты p+ и n+ к подложке и к «карману», подключенные к шинам нулевого потенциала и питания соответственно и располагающиеся в каждом элементе матрицы памяти рядом с границей между подложкой и «карманом», при этом длина и ширина канала n-канальных и p-канальных транзисторов триггера элемента памяти увеличены, а p-канальные транзисторы триггера выполнены в виде двух параллельно соединенных транзисторов с общей p+ областью стоков. 4 ил.
РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ БИБЛИОТЕКА ЭЛЕМЕНТОВ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МЕТАЛЛ-ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ТРАНЗИСТОРАХ // 2674415
Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник (КМОП) транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле по вертикали пропорционально шагу топологической сетки, повышенным быстродействием и повышенным выходом годных элементов на кристалле за счет расположения р+ охраны вдоль внешней границы стоков/истоков транзисторов n-типа с разными потенциалами, при этом заполнения р+ охраной всей свободной площади подложки, а также за счет соединения поликремнием затворов транзисторов. 2 ил.
РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ БИБЛИОТЕКА ЭЛЕМЕНТОВ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МЕТАЛЛ-ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ТРАНЗИСТОРАХ // 2539869
Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле и повышенным быстродействием. Библиотека элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, содержащая подложку p-типа и «карман» n-типа, активные области МОП транзисторов n- и p-типов, контакты p+ и n+ к шине нулевого потенциала и питания, дополнительно содержит расширенную n+ охрану, расположенную вдоль внешней границы «кармана» и заполняющую собой всю свободную площадь «кармана», а также кольцевую p+ охрану, расположенную вокруг каждой из групп транзисторов n-типа с областями стока/истока транзисторов с разным потенциалом, которая заполняет собой всю свободную площадь подложки. 5 ил.
