Патенты автора Шапошников Александр Николаевич (RU)
Изобретение относится к области магноники и СВЧ-техники, в частности, к созданию тонких монокристаллических магнитных пленок железо-иттриевого граната (ЖИГ) на подложке из немагнитного граната с наследованием пленкой кристаллической ориентации и структуры подложки с нулевым рассогласованием параметров кристаллической решетки пленки и подложки. Способ включает подготовку шихты, содержащей оксиды, входящие в состав феррита-граната иттрия Y3Fe5O15, и оксиды растворителя PbO и V2O5, нагрев шихты в платиновом тигле до температуры полного расплавления и растворения компонентов, гомогенизацию раствора-расплава при температуре выше точки насыщения раствора в течение 8-10 ч, снижение температуры раствора-расплава до точки насыщения, при этом используют подложки из гадолиний-галлиевого граната с ориентацией (111), в качестве легирующей примеси используют ионы La3+ в количестве 8·10-3% от общей массы раствора-расплава, эпитаксию осуществляют при поверхностном контакте подложки с раствором-расплавом с достижением кристаллографического рассогласования параметров решетки пленки и подложки менее 10-3 ангстрема. Наследование пленкой кристаллической ориентации и структуры подложки с нулевым рассогласованием параметров кристаллической решетки пленки и подложки приводит к повышению добротности резонансных свойств с шириной линии ферромагнитного резонанса менее 3 Э пленок ЖИГ в СВЧ-диапазоне как в сильных, так и в слабых магнитных полях, снижению значений константы кубической анизотропии и параметра релаксации спиновой прецессии Гильберта. 2 ил.
Изобретение относится к области металлургии, в частности к созданию защитных и упрочняющих покрытий методами химико-термической обработки изделий из конструкционных и специальных сталей, и может быть использовано в промышленном производстве при серийном изготовлении изделий на предприятиях автомобильной, авиационной, кораблестроительной и станкостроительной отраслей, при производстве сельскохозяйственных инструментов и агрегатов, а также для проведения комплексных лабораторных исследований. Способ упрочнения стального изделия ионно-плазменной карбонитрацией включает помещение обрабатываемого изделия в вакуумную камеру, обеспечение предварительного разрежения путем откачки воздуха, подачу в вакуумную камеру технологической газовой смеси, генерирование плазмы, содержащей ионы азота и углерода, с возбуждением тлеющего разряда и обработку изделий в полученной плазме. Откачку воздуха проводят до давления 5 Па, подачу технологической газовой смеси осуществляют до обеспечения давления в вакуумной камере, составляющего 20-50 Па. Упомянутая технологическая газовая смесь содержит компоненты при следующем соотношении, мас. %: аргон 25-50, азот 25-50, углекислый газ 25-50. После упомянутых операций осуществляют резистивный нагрев обрабатываемого изделия, а упомянутую плазму генерируют посредством высокочастотного электрического поля с частотой 13,6 МГц, фокусировку плазмы и ускорение ионов азота и углерода осуществляют посредством подачи постоянного или импульсного униполярного электрического поля, создающего электрическое смещение на обрабатываемом изделии. Обработку изделий в полученной плазме осуществляют путем имплантации и термодиффузии ионов азота и углерода. Обеспечивается повышение качества упрочняющих покрытий и расширение диапазона использования способа за счет увеличения возможностей варьирования режимов обработки. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
МАГНИТОФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ // 2541443
Изобретение относится к отрасли оптической обработки информации и может быть использовано для управления когерентными потоками света в оптоэлектронных и магнитофонных приборах, системах отображения, хранения и передачи информации и др. Магнитофотонний кристалл, включающий 3 ≤N ≤10 пар периодически напылених друг на друга магнитных и немагнитных слоев, в котором одна из периодических пар содержит магнитный слой, выполненный из материала BizK3-zFe5O12, где К - Y, Lu, значение z изменяется в пределах 0,5-1,0 ат/форм. ед., другая пара содержит магнитный слой, выполненный из материала BixR3-xFe5-yMyO12, где R - минимум один редкоземельный элемент, выбранный из группы Tb, Dy, Sm, Eu, Tm, Yb, Lu и в комбинации с Tb с Pr, Yb с Nd, M - Al, значение x изменяется в пределах 0,5-2 ат/форм. ед., значение у изменяется в пределах 0,5-1,3 ат/форм. ед., а немагнитный слой в каждой из пар выполнен из материала МеО, где Me - Si, Al. Изобретение обеспечивает получение кристалла, свойствами которого можно дополнительно управлять с помощью температуры.
