Патенты автора Афанасьев Сергей Анатольевич (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующих излучений, в частности к алмазным детекторам, способным работать в условиях повышенных температур, пониженных давлений, в агрессивных средах. Алмазный детектор ионизирующих излучений состоит из алмазной подложки, активного алмазного слоя, двух контактных электродов, расположенных сверху и снизу активного алмазного слоя, и выводов для подачи напряжения смещения и съема выходного сигнала, при этом нижний контактный электрод полностью распложен внутри активного алмазного слоя, при этом выводы для подачи напряжения смещения и съема выходного сигнала выполнены в виде графитовых столбиков в объеме алмазной подложки и активного алмазного слоя с выходом контактных поверхностей на нижнюю сторону подложки. Изобретение исключает утечки и пробой по поверхности кристалла, что повышает устойчивость детектора к внешним воздействующим факторам. 2 ил.

Изобретение относится к электротермии и может быть использовано для оптимального распределения тепла при нагреве металлических образцов встречными волнами ближнего ИК-диапазона. Предлагаемый способ нагрева тонких металлических пленок, реализуемый с помощью схемы интерферометра Маха-Цендера, включающего одно высокоотражающее, два полупрозрачных зеркала, зеркало с фазовой модуляцией, а также твердотельного лазера, поляризаторов для регулировки амплитуд волн, характеризуется тем, что поверхность нагреваемого металлического образца устанавливается под углом α к падающему р-поляризованному лучу лазера, а указанный угол отсчитывается от нормали к поверхности образца и имеет значение, при котором отражение для выбранного материала минимально. Использование способа позволяет решить задачу управления поглощающей способностью тонких металлических образцов в ИК-диапазоне, а именно повысить КПД нагрева тонкой металлической пленки вплоть до 100%, обеспечивая наиболее оптимальный режим ее разогрева. 3 ил.

 


Наверх