Патенты автора ХОППЕ Арне (DE)
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОКРЫТИЙ // 2660664
Изобретение относится к способу получения структурированных покрытий. Способ получения структурированных покрытий включает нанесение на подложку композиции, содержащей одно неорганическое связующее вещество с общей формулой SiaR1bOc(OR2)d, при этом а≥2, b≥0, c≥1, d≥5, и R1 и R2 представляют собой органический радикал; по меньшей мере один оксидный пигмент, который после добавления смеси, включающей 15 мл 1 М щавелевой кислоты и 15 мл 20% водной хлористоводородной кислоты в пересчете на 1 г оксидного пигмента, при стандартных условиях приводит к повышению температуры по меньшей мере на 4°C, и по меньшей мере один растворитель. Полученную в результате пленку из композиции для покрытия частично покрывают фоторезистом и обрабатывают с помощью кислоты. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 7 пр., 3 ил.
Настоящее изобретение относится к жидкому составу для получения содержащих оксид индия слоев. Состав получают путем растворения по меньшей мере одного соединения алкоксида индия, которое может быть получено при помощи реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, с вторичным амином формулы R'2NH, где R'=C1-C10-алкил в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=C1-C10-алкил, по меньшей мере в одном растворителе, выбранном из группы, состоящей из первичных, вторичных, третичных и ароматических спиртов. Также предложены способ получения состава, его применение для получения содержащих оксид индия или (полу)проводящих слоев и способ получения содержащих оксид индия слоев. Изобретение позволяет улучшить свойства формирования слоя и свойства полученных слоев. 5 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 пр.
Изобретение относится к соединению алкоксида индия, которое получено путем реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=С1С10-алкил, в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 по отношению к тригалогениду индия, в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=С1С10-алкил. Также предложены способ получения алкоксида индия и его применение. Соединение алкоксида индия применяют для получения содержащих оксид индия покрытий, имеющих отличные электрические свойства. 5 н. и 7 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 пр.
Настоящее изобретение касается способа изготовления полупроводникового ламината, включающего в себя первый и второй слои оксида металла, а также слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла располагается между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика и имеет толщину равную или менее 20 нм. Первый и второй слои оксида металла соответственно формируют из первой и из второй жидкой фазы. Также настоящее изобретение касается электронных деталей, которые включают в себя такой полупроводниковый ламинат. Изобретение позволяет повысить электрическую стабильность слоев структуры без уменьшения подвижности носителей зарядов в полупроводниковом слое. 3 н. и 25 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к галогенсодержащему оксоалкоксиду индия общей формулы In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x, в которой R означает алкил с 1-15 атомами углерода, Х означает фтор, хлор, бром, йод и х означает число от 0 до 10. Также предложены способ получения галогенсодержащего оксоалкоксида индия и его применение. Изобретение позволяет получить соединения индия, которые можно использовать для формирования содержащих оксид индия слоев, обладающих улучшенными электрическими рабочими характеристиками. 5 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к галогенсодержащему оксоалкоксиду индия общей формулы In6O2X6(OR)6(R′CH(O)COOR″)2(HOR)x(HNR″′2)y, в которой X означает фтор, хлор, бром и/или йод, R означает алкил с 1-15 атомами углерода, R′ означает алкил с 1-15 атомами углерода, R″ означает алкил с 1-15 атомами углерода, R″′ означает алкил с 1-15 атомами углерода, x означает число от 1 до 10 и y означает число от 1 до 10. Также предложены способ получения оксоалкоксидов индия и их применение. Изобретение позволяет получить оксоалкоксид индия, который используется для формирования содержащих оксид индия слоев, обладающих улучшенными электрическими рабочими характеристиками. 5 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 3 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХЛОРДИАЛКОКСИДОВ ИНДИЯ // 2541539
Настоящее изобретение относится к способу получения галогендиалкоксидов индия (III) общей формулы InX(OR)2 с Х=F, Cl, Br, I и R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток. Способ включает взаимодействие композиции (А), включающей тригалогенид индия InX3, где Х=F, Cl, Br и/или I и, по меньшей мере, один спирт общей формулы ROH, где R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток с, по меньшей мере, одним вторичным амином общей формулы R'2NH, где R' = алкильный остаток. Изобретение позволяет снизить содержание хлора в целевом продукте. 7 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
