Патенты автора Пермикина Елена Вячеславовна (RU)
Изобретение относится к материаловедению полупроводников и предназначено для контроля качества выращиваемых гетероэпитаксиальных слоев теллурида кадмия-ртути CdHgTe кристаллографической ориентации (310) при отработке процесса молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) для выявления различных типов дислокаций в слоях структур CdHgTe. Способ выявления дислокаций различного типа в структурах теллурида кадмия-ртути с кристаллографической ориентацией (310) включает травление в селективном травителе №1, травление в полирующем травителе №2 и дополнительное травление в селективном травителе №1. Селективный травитель №1 содержит 24 объемные доли 25% водного раствора оксида хрома (VI) (CrO3), 1 объемную долю соляной кислоты (HCl) и 8 объемных долей 5% раствора лимонной кислоты. Полирующий травитель №2 содержит 13 объемных долей этиленгликоля (С2Н4(ОН)2), 5 объемных долей метанола (СН3ОН (95%)), 2 объемные доли бромистоводородной кислоты (НВr(47%)) и 1 объемную долю перекиси водорода (Н2О2(30%)). Обеспечивается образование четко различимых по форме фигур травления, которые хорошо идентифицируются с дислокациями определенных типов. 2 ил.
Изобретение относится к области обработки поверхности теллурида кадмия-ртути ориентации (310) химическим селективным травлением. Cостав для селективного травления теллурида кадмия-ртути содержит ингредиенты при следующем соотношении, в объемных долях: 25%-ный водный раствор оксида хрома (VI) (CrO3) – 24, концентрированная соляная кислота (HCl) – 1, 5%-ный раствор лимонной кислоты – 8. Предложенный состав обеспечивает селективное травление теллурида кадмия-ртути с образованием треугольных ямок травления. 2 ил.
Изобретение относится к области обработки поверхности теллурида кадмия-ртути химическим полирующим травлением. Состав полирующего травителя для теллурида кадмия-ртути включает компоненты при следующем соотношении, в объемных долях: метанол (95%) - 5, этиленгликоль - 13, бромистоводородная кислота (47%) - 2, перекись водорода (30%) - 1. Предложенный состав обеспечивает полирующее травление со скоростью не более 0,75 мкм/мин и позволяет получить поверхность теллурида кадмия-ртути с минимальной шероховатостью, в среднем не более 2 нм. 4 ил., 1 табл.
