Патенты автора Максимов Михаил Викторович (RU)
Изобретение относится к созданию способа и устройства, предназначенных для измерения основных параметров синтезированных защитных голограмм, выполненных на основе дифракционных микроструктур, для целей экспертного анализа подлинности и контроля качества изготовления этих голограмм, которые могут быть выполнены на различных носителях, таких как металлические и стеклянные подложки, тонкие полимерные пленки с металлическим напылением и без него, полимерные ламинирующие пленки, и могут быть расположены на документах, банкнотах или упаковке защищаемой продукции. Определение подлинности и качества изготовления синтезированных защитных голограмм производится посредством сравнения измеренных основных параметров дифракционных микроструктур, содержащихся в исследуемой защитной голограмме как с измеренными параметрами дифракционных микроструктур, содержащихся в эталонном образце защитной голограммы, так и с проектом для изготовления голограммы, подготовленным в соответствующей системе проектирования или с описанием голограммы, полученными прямыми измерениями с помощью высокоразрешающего микроскопа или рентгеновского оборудования. Техническим результатом является повышение качества распознавания подлинности, расширение количества определяемых параметров составляющих защитную голограмму дифракционных микроструктур. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил.
Изобретение относится к области формирования микроструктур для использования в различных оптоэлектронных устройствах, а более конкретно к области формирования лазерных микрорезонаторов, обладающих одночастотным спектром излучения. Задачей настоящего изобретения является разработка простого в реализации способа селекции мод в работающих при комнатной температуре микролазерах, который бы был эффективен по отношению ко всем типам мод микрорезонатора, как радиальным, так и азимутальным. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является увеличение максимальной интенсивности излучения лазерной моды оптического микрорезонатора в 20 раз и увеличение коэффициента подавления боковых мод на 14 дБ. В способе селекции оптических мод микрорезонатора формируют осесимметричный микрорезонатор с помощью травления слоистой полупроводниковой структуры, формируют наноантенну, примыкающую к внешней боковой поверхности микрорезонатора и вытянутую в направлении, перпендикулярном слоям слоистой полупроводниковой структуры, наноантенну формируют под действием сфокусированного электронного пучка в присутствии газа-прекурсора. 8 з.п. ф-лы, 8 ил.
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ // 2670362
Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, которые преобразуют солнечное излучение в электроэнергию, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Фотопреобразователь с квантовыми точками состоит из подложки (1), например Ge или GaAs, и по меньшей мере одного фотоактивного р-n перехода (2), например из GaAs или GaInAs с концентрацией индия 0-2%, содержащего базовый слой (3), например из GaAs или GaInAs с концентрацией индия 0-2%, нелегированный слой (4), например из GaAs или GaInAs с концентрацией индия 0-2%, содержащий по меньшей мере один слой самоорганизованных квантовых точек (5), выполненных посредством осаждения слоя InxGa1-xAs с содержанием индия x от 20 до 50%, эмиттерный слой (6), например из GaAs или GaInAs с концентрацией индия 0-2%. Фотопреобразователь имеет увеличенное КПД за счет повышения тока, генерируемого фотоактивным переходом на основе Ga(n)As. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
Многоканальный конфокальный микроскоп // 2649045
Изобретение относится к области приборостроения, связанной с производством оптико-электронной аппаратуры. В осветительном блоке устройства коллимированный свет лазерного источника расщепляется в матрицу лучей с помощью дифракционного оптического элемента, матрица лучей затем отклоняется светоделительным кубиком и фокусируется в плоскость матрицы диафрагм, проходит через светоделительную пластинку и далее отклонение или сканирование матрицы лучей по двум координатам исследуемого объекта осуществляется с помощью двух плоскопараллельных пластин, установленных на ортогонально ориентированных относительно друг друга осях роторов электродвигателей или гальвано-сканеров, и формирующей оптики, затем упомянутые лучи проходят двулучепреломляющую пластинку, попадают через фокусирующую оптику на исследуемый объект, а отраженный от исследуемого объекта оптический сигнал возвращается в обратном направлении до светоделительного кубика, проходит через кубик и попадает на регистрирующую матрицу фотодетекторов через поляризационный фильтр, оборачивающий изображение по двум ортогональным осям оптический элемент, проекционный объектив, поворотное зеркало, затем проходит через плоскопараллельные пластины осветительного блока и проекционный объектив. Для настройки лучей по интенсивности служит нормировочный блок, состоящий из проекционного объектива и регистрирующей матрицы фотодетекторов. Технический результат – подавление паразитного отраженного света от оптических элементов осветительного блока и повышение соотношения сигнал/шум в регистрирующем блоке. 3 ил.
ТРАВЕРСА // 2610770
Изобретение относится к подъемно-транспортному оборудованию и может быть использовано при производстве работ по подъему и перемещению большегрузных и габаритных изделий. Траверса содержит штангу, на одном конце которой имеется проушина для соединения с механизмом подъема крана, а на втором конце - вилка, жестко связанная осью с балкой, захватные серьги, шарнирно прикрепленные к концам балки с возможностью поворота в продольной вертикальной плоскости, направляющие вилки, жестко прикрепленные к балке и расположенные рядом с захватными серьгами, привод синхронного поворота захватных серег. Балка на концах имеет по крайней мере два отверстия для шарнирного крепления захватных серег. Места установки захватных серег имеют опорные предохранительные проточки, на основании балки имеются опорные направляющие планки, на которые установлены направляющие вилки, привод синхронного поворота захватных серег установлен на штанге, имеющей позиционирующую метку, определяющую глубину погружения траверсы в воду. Передача от привода к захватным серьгам произведена с помощью канатов, один конец которых закреплен на захватной серьге, другой - на штоке привода. Достигается универсальность и надежность узлов крепления захватных серег и направляющих вилок, возможность их переустановки под заданные габариты груза. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к ядерной технике, а именно к дистанционирующим устройствам, в которых размещаются отработавшие тепловыделяющие сборки реактора ВВЭР-1000, во время их транспортирования и хранения в контейнерах. Чехол для размещения и хранения отработавших тепловыделяющих сборок содержит центральную трубу, дистанционирующие решетки с шестигранными трубами. Дистанционирующие решетки с шестигранными трубами выполнены в виде скрепленных между собой секций. Каждая секция выполнена из алюминиевого сплава и состоит из центральной трубы, двух дистанционирующих решеток с шестигранными отверстиями. В отверстиях размещены шестигранные трубы. Трубы имеют на концах внутренние шестигранные проточки. В проточки установлены шестигранные направляющие из коррозионно-стойкой стали. Секции установлены на основание, состоящее из дистанционирующей опоры с отверстиями. По оси отверстий с наружной стороны установлены устройства поджима. Несущая труба выполнена из коррозионно-стойкой стали и имеет переходник под грузозахватное устройство. Изобретение позволяет создать чехол для размещения и хранения не менее 20 отработавших тепловыделяющих сборок, обладающий повышенным сроком службы. 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств состоит из полупроводниковой подложки (1) с лицевой поверхностью, разориентированной от плоскости (100) на (0,5-10) градусов и, по меньшей мере, одного р-n перехода (2), включающего, по меньшей мере, один активный полупроводниковый слой (3), заключенный между двумя барьерными слоями (4) с шириной запрещенной зоны Eg0. Активный полупроводниковый слой (3) состоит из граничащих с барьерными слоями (4) и чередующихся в плоскости активного полупроводникового слоя (3) пространственных областей (5), (6) первого и второго типов. Пространственные области (5) первого типа имеют ширину запрещенной зоны Eg1<Eg0, a пространственные области (6) второго типа имеют ширину запрещенной зоны Eg2<Eg1. Полупроводниковая структура согласно изобретению обеспечивает увеличение эффективности фотопреобразующего и светоизлучающих приборов, при этом в фотопреобразующих устройствах увеличение эффективности происходит за счет увеличения фототока при распространении спектральной чувствительности в длинноволновую область, и обеспечения высокого уровня фотогенерации и разделения носителей заряда, а в светоизлучающих устройствах увеличение эффективности происходит за счет увеличения вероятности генерации фотонов и уменьшения вероятности безизлучательной рекомбинации посредством обеспечения высокой плотности областей, локализующих носители заряда в трех направлениях.10 з.п. ф-лы, 11 ил., 5 пр.
Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности для использования в различных оптоэлектронных устройствах. Способ формирования массива квантовых точек высокой плотности включает три этапа. На первом происходит формирование зародышевого ряда квантовых точек в режиме субмонослойного осаждения, т.е. последовательного осаждения нескольких слоев напряженного материала, толщина каждого из которых не превышает один монослой, разделенных слоями ненапряженного материала толщиной несколько монослоев. Квантовые точки зародышевого ряда обладают высокой плотностью и большой шириной запрещенной зоны. На втором этапе происходит осаждение промежуточного слоя ненапряженного материала. Его толщина выбирается достаточно малой, так что поля напряжения, образующиеся от квантовых точек зародышевого ряда, могут оказывать влияние на миграцию атомов на его поверхности. На третьем этапе происходит формирование наследующего ряда квантовых точек с помощью осаждения по крайней мере одного слоя напряженного материала, толщина которого превосходит критическую толщину островкового роста. Поверхностная плотность квантовых точек наследующего ряда задается поверхностной плотностью квантовых точек зародышевого ряда и потому велика. При этом ширина запрещенной зоны квантовых точек наследующего ряда имеет значение, типичное для квантовых точек, формируемых традиционными способами. Для управления шириной запрещенной зоны квантовые точки наследующего ряда могут быть покрыты напряженной квантовой ямой. Предпочтительными материалами является InAs в качестве напряженного материала, Iny(GaAl)1-yAs в качестве напряженной квантовой ямы (y составляет от 0.1 до 0.3.), GaAs либо AlxGa1-xAs (x не превосходит 0.4) в качестве ненапряженного материала. Преимущество AlxGa1-xAs в качестве ненапряженного материала заключается в том, что при его использовании ширина запрещенной зоны квантовых точек зародышевого ряда дополнительно увеличивается, так что они не оказывают влияния на оптические характеристики образующегося массива. Технический результат: возможность формирования массивов квантовых точек с контролируемой длиной волны излучения в диапазоне от 1.05 до 1.35 мкм и поверхностной плотностью 5*1011 см-2 в расчете на один ряд. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.
