Патенты автора ХОСИКАВА Кейго (JP)
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристалла оксида галлия VB-методом. Тигель 10 для выращивания монокристалла оксида галлия содержит верхний участок 18, имеющий толщину, которая меньше толщины нижнего участка 12 тигля 10, причем верхний участок 18 тигля 10 имеет постоянный диаметр, и усиливающий ленточный материал 22, предусмотренный на внешней периферии участка постоянного диаметра тигля, который включает множество ленточных материалов 22a в осевом направлении тигля 10, предусмотренных с равными интервалами в круговом направлении тигля, причем усиливающий ленточный материал 22 включает один или множество ленточных материалов 22b, предусмотренных в форме кольца на внешней периферии участка постоянного диаметра. Предложенная конструкция тигля обеспечивает баланс между толщиной и прочностью участка постоянного диаметра тигля и является пригодной для выполнения выращивания кристалла, имеющего большой диаметр. 7 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 пр.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ // 2749825
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов. Устройство 10 для получения монокристаллов β-Ga2O3 или LiTaO3 в окислительной атмосфере содержит основание 12, теплостойкий цилиндрический корпус 14 печи, размещенный выше основания 12, крышку 16a, или 16b, или 16c, закрывающую корпус 14 печи, нагреватель 20, размещенный внутри корпуса 14 печи, высокочастотную обмотку 22, нагревающую нагреватель 20 за счет высокочастотного индукционного нагрева, и тигель, нагретый нагревателем 20, причем нагреватель 20 содержит Pt-Rh-сплав, имеющий содержание Rh от 10 до 30 мас.% и имеет покрытие из оксида циркония на всей поверхности нагревателя. Применение нагревателя из сплава на основе платины с покрытием из циркония предотвращает его окислительное разрушение, обеспечивая возможность многократного использования нагревателя, а также предотвращает растворение продукта оксилительного разрушения в кристалле, позволяя получать монокристаллы β-Ga2O3 и LiTaO3 высокого качества. 3 з.п. ф-лы, 14 ил., 1 пр.
Изобретение относится к технологии получения кристалла оксида галлия, который является широкозонным полупроводником для производства мощных приборов, которые располагают на материале из кристаллического кремния. Кристалл оксида галлия получают путем выращивания в атмосфере с содержанием кислорода от 10 до 50% с использованием устройства, содержащего печь 10 для выращивания кристаллов вертикальным методом Бриджмена, включающую опорную плиту 12, цилиндрический термостойкий корпус 14, расположенный поверх опорной плиты 12, крышку 18, закрывающую корпус 14, нагреватель 20, расположенный внутри корпуса 14, тигельный шток 24, обладающий возможностью вертикального перемещения через опорную плиту 12, и тигель 30, расположенный на тигельном штоке 24, нагреваемый посредством нагревателя 20, при этом тигель 30 выполнен из сплава на основе Pt-Rh с содержанием Rh от 10 до 30 мас.%, а корпус 14 имеет внутреннюю термостойкую стенку 32, содержащую множество кольцеобразных термостойких элементов, каждый из которых имеет заданную высоту, наложенных один на другой, каждый из кольцеобразных термостойких элементов содержит множество отдельных частей, которые соединены друг с другом в форме кольца. Изобретение позволяет получать кристаллы β–Ga2O3 высокого качества и большого размера (диаметром до 5,08 см). 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 1 пр., 18 ил.
Изобретение относится к устройству для выращивания монокристаллов сапфира, которые могут быть использованы в качестве подложек для получения светоиспускающих диодов. Устройство 1 содержит тигель 20 с сырьевым материалом, расположенный в цилиндрическом нагревателе 14, размещенном в печи 10 для выращивания, теплозащитный экран 16, охватывающий нагреватель 14, и имеющий множество цилиндрических секций 16a, 16b, 16c, которые располагают вертикально друг над другом, при этом теплозащитный экран 16 дополнительно имеет каркасную секцию 17 для определения радиальных местоположений расположенных друг над другом цилиндрических секций и поддержания веса всех или части цилиндрических секций в вертикальном направлении. Изобретение обеспечивает повышение точности расположения теплозащитного экрана, который влияет на распределение температур в печи 10 для выращивания, а следовательно, и на качество кристалла. 5 з.п. ф-лы, 14 ил., 1 табл.
