Патенты автора Плеханов Владимир Георгиевич (RU)
Изобретение относится к области производства полупроводниковых материалов, используемых в наноэлектронике. Техническим результатом изобретения является достижение определенной концентрации изотопа углерода С13, что обеспечит открытие запрещенной зоны в десятки мэВ. В способе изготовления полупроводникового графена используют заготовку графита, воздействуют по всей поверхности заготовки потоком тепловых нейтронов, затем производят ее механическую обработку для отделения атомарных слоев графита с заданной концентрацией изотопа углерода С13, определяющей ширину запрещенной зоны. 3 ил.
