Патенты автора КИТАНИ Масаси (JP)
Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. В полупроводниковом устройстве, включающем в себя множество единичных ячеек, расположенных в ряд в одном направлении, и группу межсоединений, которая содержит первое межсоединение и второе межсоединение, второе межсоединение имеет модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения, и расположено вдоль концевого участка в упомянутом одном направлении. Изобретение обеспечивает уменьшение разрушений полупроводникового устройства по причине короткого замыкания межсоединения при уменьшенной ширине концевого участка. 5 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.
