Патенты автора Луис Антонио Диас Родригес (ES)
Изобретение относится к получению изделий искровым плазменным спеканием композиционных порошков под давлением. Устройство содержит верхний и нижний пуансоны-токоподводы и выполненную из токопроводящего материала матрицу с изоляционной втулкой, верхней втулкой-токоподводом и нижней втулкой-токоподводом. Нижний пуансон установлен внутри нижней втулки и своим торцом размещен в изоляционной втулке, а верхний пуансон установлен в верхней втулке и своим торцом размещен в изоляционной втулке. Верхний пуансон выполнен состоящим из верхней и нижней токопроводящих частей, разделенных друг от друга электроизоляционным материалом. Верхняя часть верхнего пуансона выполнена с возможностью подключения к источнику питания с прохождением электрического тока через верхнюю втулку-токоподвод, матрицу, нижнюю втулку-токоподвод и нижний пуансон, а нижняя часть верхнего пуансона выполнена с возможностью подключения к источнику питания с прохождением электрического тока через нижний пуансон и композиционный порошок. Обеспечивается повышение качества изделий. 1 ил.
Изобретение относится к технологии получения керамических материалов - нанокомпозитов на основе нитрида кремния (Si3N4), и может быть использовано в различных областях науки и техники. Способ получения нанокомпозита включает смешивание керамических частиц Si3N4 в этаноле с последующим добавлением в полученную суспензию жидкофазного алкоголята титана и предварительный нагрев суспензии до получения порошкообразной массы. Полученный порошок измельчают, затем осуществляют двухстадийную термическую обработку. На первой стадии проводят нагрев, обеспечивающий удаление жидкофазной среды: при 60°C в течение 24 часов и при 120°С в течение 2 часов, а на второй стадии проводят дальнейший нагрев при температуре 300-600оС до образования анатаза без рутила и удаления органических составляющих с последующим азотированием порошка в аммиачной среде при 800-1200оС до превращения анатаза в нитрид титана. Порошок просеивают, формируют заготовку с последующим искровым плазменным спеканием изделия. Заявленный способ позволяет получать электропроводные нанокомпозиты системы Si3N4-TiN с однородной микроструктурой, где наночастицы TiN распределены в виде мелких включений на поверхности Si3N4, которые можно обрабатывать электрофизическими и электрохимическими методами. 1 з.п. ф-лы, 5 пр., 1 табл.
