Патенты автора ЭЛЬ БАРАДЖИ Мурад (US)
СПОСОБ ЗАПИСИ В ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, ОСНОВАННОЕ НА MRAM, ПРИ УМЕНЬШЕННОЙ ПОТРЕБЛЯЕМОЙ МОЩНОСТИ // 2546572
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности при записи в запоминающее устройство. Способ записи в запоминающее устройство, содержащее множество ячеек магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), причем каждая ячейка MRAM, которая должна быть записана в процессе записи с использованием технологии (TAS) термического переключения, включает магнитный туннельный переход (MTJ), имеющий сопротивление, которое может быть изменено во время процесса записи, когда MTJ нагревают до высокой пороговой температуры, и выбранный транзистор, электрически присоединенный к MTJ; множество числовых и разрядных шин, соединяющих ячейки MRAM вдоль строки и столбца соответственно; в котором подают напряжение разрядной шины на одну из разрядных шин и напряжение числовой шины на одну из числовых шин для прохождения нагревающего тока через MTJ выбранной ячейки MRAM; когда MTJ достигает высокой пороговой температуры, изменяют сопротивление MTJ; и охлаждают MTJ для замораживания записанного значения упомянутого сопротивления; упомянутое напряжение числовой шины является напряжением перегрузки числовой шины, которое выше, чем базовое рабочее напряжение питания ячейки MRAM, так что нагревающий ток имеет величину, достаточно большую для нагрева MTJ до заданной высокой пороговой температуры. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
