Патенты автора СИМОМУРА Таку (JP)
Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. В полупроводниковом устройстве анодная область 106 сформирована в нижнем участке канавки 105, в которой сформирован электрод 108 затвора, или в дрейфовой области 102 непосредственно под канавкой 105. Контактное окно 110 сформировано в канавке 105 на глубине, обеспечивающей достижение анодной области 106. Электрод 112 истока встраивается в контактное окно 110 при размещении изолирующей пленки 111 в качестве внутренней стенки. Анодная область 106 и электрод 112 истока электрически соединены и изолированы от электрода 108 затвора посредством изолирующей пленки 111. Изобретение обеспечивает повышение степени интеграции. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 11 ил.
