Патенты автора Томина Елена Викторовна (RU)

Изобретение относится к области деревообрабатывающей промышленности, в частности к композиционным составам для гидрофобизации и консервирования древесины и изделий из нее. Композиционный состав для гидрофобизации и консервирования древесины включает отработанное растительное подсолнечное масло, содержащее ненасыщенные жирные кислоты: олеиновую, стеариновую, линоленовую, линолевую, пальмитиновую, гидрофобизирующий агент - сиккатив и муку древесины хвойных пород, при следующем соотношении компонентов состава, масс. %: отработанное растительное подсолнечное масло - 95, сиккатив - 1-4, мука древесины хвойных пород - 1-4. Повышается надежность защиты древесины от воды и влаги. 6 табл.

Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем H2SO4:H2O2H2O=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя MnO2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn3(PO4)2. Технический результат: обеспечение возможности формирования наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP с толщиной в пределах 70-110 нм и удельным сопротивлением от 4,8⋅108 до 1,5⋅1010 Ом⋅см. 4 ил.

Использование: для формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников AIIIBV. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца включает предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя МnO2 толщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, согласно изобретению, формирование слоя МnО2 производят методом магнетронного распыления мишени в аргоновой атмосфере рAr ~ 10-3 Торр. Технический обеспечение возможности формирования наноразмерных структурированных диэлектрических пленок на поверхности GaAs со средним перепадом высот рельефа не более 25 нм, толщиной в пределах от 75 до 200 нм, удельным сопротивлением ~1010 Ом*см и диэлектрической прочностью ~7×106 В/см. 4 ил.

Изобретение относится к области изготовления наноструктур, а именно к синтезу оксидных пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников класса АIIIBV, и может быть применено при формировании элементов электроники на поверхности полупроводников, в высокочастотных полевых транзисторах и длинноволновых лазерах, а также в солнечных элементах. Технический результат заключается в формировании наноразмерных наноструктурированных оксидных пленок на поверхности InP с высотой рельефа поверхности не более 20 нм экономичным и экспрессным способом. Способ создания наноразмерных наноструктурированных оксидных пленок на InP с использованием геля пентаоксида ванадия включает предварительную обработку пластин InP травителем состава H2SO4:H2O2:H2O=2:1:1, их промывание дистиллированной водой, высушивание на воздухе и последующее охлаждение до -30°С, осаждение геля V2O5 из аэрозоля в течение 3 мин на пластину InP, высушивание полученных образцов на воздухе в течение 1 ч, их отжиг и последующее термооксидирование при температуре от 500 до 560°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч. В качестве отжига используется импульсная фотонная обработка в воздушной среде в течение 0,2-0,8 с при плотности энергии от 30 до 115 Дж/см2. 2 ил.

Изобретение может быть использовано для изготовления люминесцентных источников света, люминесцентных панелей, экранов и индикаторов, оптических квантовых генераторов. Оксид ванадия (V) растворяют в 10% растворе NaOH. К полученному раствору приливают в стехиометрическом количестве раствор прекурсора - Y(NO3)3·6H2O, а затем вводят второй прекурсор - Eu(NO3)3·6H2O, в концентрации от 1 до 8 ат.% и воздействуют микроволновым излучением мощностью 700 Вт в течение 10 мин. После этого охлаждают до комнатной температуры, отделяют осадок, сушат его и отжигают при температуре 800°C в течение 2 часов. Люминофор на основе ортованадата иттрия имеет интенсивность люминисценции до 34000 отн.ед. 3 ил., 2 пр.

 


Наверх