Патенты автора Егоров Антон Юрьевич (RU)
Изобретение относится к электронной и оптоэлектронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, а также для изготовления вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона. Согласно изобретению описан способ изготовления полупроводниковых гетероструктур с атомарно гладкими стоп-слоями InGaP и InP на подложках GaAs и InP и предложены конструкции полупроводниковых гетероструктур, обеспечивающие формирование атомарно гладких стоп-слоев. Изобретение обеспечивает устойчивое формирование атомарно гладких фосфорсодержащих стоп-слоев InGaP и InP в слоях твердых растворов, состоящих из арсенидов индия и галлия, не оказывает негативного влияния на параметры изготавливаемых приборов. Для устойчивого формирования атомарно гладкого стоп-слоя InGaP в гетероструктурах на подложках GaAs выращивают буферный слой GaAs, затем последовательно слой InGaP и защитный слой GaP толщиной 0,6-1,3 нм и лишь затем выращивается покрывающий слой арсенида. Для устойчивого формирования атомарно гладкого стоп-слоя InP в гетероструктурах на подложках InP выращивают буферный слой InGaAs, затем слой InP и защитный слой InGaP толщиной 0,6-1,3 нм и лишь затем выращивается покрывающий слой арсенида. Формирование стоп-слоев описанным способом обеспечивает формирование атомарно гладких фосфорсодержащих стоп-слоев InGaP и InP в слоях твердых растворов, состоящих из арсенидов индия и галлия, и точный контроль глубины травления по всей площади эпитаксиальной пластины при изготовлении приборов электронной и оптоэлектронной техники. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к физике полупроводниковых структур. Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs заключается в том, что соединяют параллельно активные модули, каждый из которых представляет собой меза-структуру упомянутой слабосвязанной сверхрешетки с шириной барьеров >4 нм, и смещают упомянутые активные модули в режим генерации автоколебаний тока. Технический результат заключается в обеспечении возможности линейного роста мощности излучения сверхрешетки GaAs/AlGaAs при увеличении числа меза-структур. 3 ил.
Светодиод белого свечения согласно изобретению содержит слой полупроводника n-типа, сформированный из полупроводникового твердого раствора GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>у>0.004), гетероструктуру с собственным типом проводимости, сформированную из слоев полупроводниковых твердых растворов GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>y>0.004), сформированную поверх слоя полупроводника n-типа, слой полупроводника GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>y>0.004) p-типа, сформированный на гетероструктуре GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>y>0.004) с собственным типом проводимости, завершающий тонкий метаморфный слой полупроводника InGaAs p-типа, где значения мольных долей азота, y, и мышьяка, x, плавно либо резко изменяются, одновременно либо по отдельности, в диапазонах 0.3>x>0 и 0.030>y>0.004, формируя тем самым варизонный полупроводниковый материал. Также предложена светодиодная гетероструктура, излучающая белый свет. Технический результат настоящего изобретения - повышение эффективности использования бокового излучения p-n-переходов кристаллов и создание на этой основе светоизлучающих устройств с увеличенным световым потоком и повышенной мощностью излучения. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил.
