Патенты автора Никитина Екатерина Викторовна (RU)
Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано при создании приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, в том числе многопереходных фотоэлектрических преобразователей. Задачей, решаемой настоящим изобретением, является снижение диффузии атомов III и V группы в кремний при формировании полупроводниковых слоев фосфида галлия (GaP) и азотсодержащих твердых растворов на его основе (GaPN) за счет снижения температуры процесса осаждения. Техническим результатом является формирование на поверхности кремния с помощью предлагаемого метода слоев фосфида галлия и его твердых растворов (GaPN) с шероховатостью, не превосходящей 1 нм, и уменьшение концентрации дефектов в кремниевой подложке в приповерхностной области вблизи границы раздела GaP/Si. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
ГЕТЕРОСТРУКТУРА GaPAsN СВЕТОДИОДА И ФОТОПРИЕМНИКА НА ПОДЛОЖКЕ Si И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2650606
Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния. Гетероструктуры GaPAsN светодиода и фотоприемника на подложке Si согласно ихобретению содержат зародышевый слой GaP, сформированный последовательным осаждением монослоев галлия, Ga, и фосфора, Р, на кремниевую подложку; первый контактный слой, легированный примесью n- или p-типа; активную область с собственным типом проводимости; второй контактный слой, состоящий из слоя GaP, легированного примесью противоположного типа по сравнению с первым контактным слоем; при этом в качестве кремниевой подложки используют вицинальную нелегированную кремниевую подложку с ориентацией (100); первый контактный слой состоит из короткопериодной сверхрешетки GaP/GaP1-xNx ; а активная область с собственным типом проводимости состоит из сверхрешетки GaP1-xNx/GaP1-x-yAsyNx . Изобретение обеспечивает возможность создания на основе гетероструктуры GaPAsN светодиода и фотоприемника на подложке Si светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей с меньшими приборными потерями и повышенной излучательной эффективностью по сравнению с аналогами. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Светодиод белого свечения согласно изобретению содержит слой полупроводника n-типа, сформированный из полупроводникового твердого раствора GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>у>0.004), гетероструктуру с собственным типом проводимости, сформированную из слоев полупроводниковых твердых растворов GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>y>0.004), сформированную поверх слоя полупроводника n-типа, слой полупроводника GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>y>0.004) p-типа, сформированный на гетероструктуре GaP1-x-yAsxNy (0.3>x>0, 0.030>y>0.004) с собственным типом проводимости, завершающий тонкий метаморфный слой полупроводника InGaAs p-типа, где значения мольных долей азота, y, и мышьяка, x, плавно либо резко изменяются, одновременно либо по отдельности, в диапазонах 0.3>x>0 и 0.030>y>0.004, формируя тем самым варизонный полупроводниковый материал. Также предложена светодиодная гетероструктура, излучающая белый свет. Технический результат настоящего изобретения - повышение эффективности использования бокового излучения p-n-переходов кристаллов и создание на этой основе светоизлучающих устройств с увеличенным световым потоком и повышенной мощностью излучения. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил.
