Патенты автора Осипов Олег Валерьевич (RU)
СВЕТОДИОДНАЯ ЛАМПА // 2686156
Изобретение относится к светотехнике, в частности к филаментным светодиодным лампам, которые заменяют традиционные лампы накаливания, содержащие в качестве источника оптического излучения матрицы последовательно соединенных светодиодных источников света в форме линеек - светодиодные ленты. Техническим результатом является обеспечение высокой равномерности излучения и получение диаграммы направленности излучения, близкой к круговой, как в горизонтальной, так и в вертикальной плоскостях. Светодиодной лампа содержит колбу из светопропускающего материала с цоколем, а также расположенные внутри колбы стержневой держатель, ориентированный в направлении продольной оси светодиодной лампы, и спиралевидную светодиодную ленту, витки которой расположены вокруг стержневого держателя и распределены по его высоте. Светодиодная лента содержит единую печатную плату в виде полосы, включающей центральную площадку и две примыкающие к ней протяженные части с размещенными на каждой из них электрически соединенными полупроводниковыми источниками света, образующие протяженные светодиодные элементы. Центральная площадка светодиодной ленты имеет сквозное отверстие, на центральной площадке сформирована расположенная по периметру указанного отверстия токопроводящая дорожка, выполненная с обеспечением электрического соединения светодиодных элементов. Верхний концевой участок каждого светодиодного элемента закреплен вблизи верхнего концевого участка стержневого держателя. Каждый светодиодный элемент смонтирован с образованием расширяющейся в направлении сверху вниз конусообразной спирали, витки которой расположены вокруг стержневого держателя и распределены по его высоте. Витки одной спирали помещены между витками другой, а светодиодные элементы ориентированы таким образом, что полупроводниковые источники света расположены на их обращенных вверх поверхностях. 1 ил.
СВЕТОДИОДНЫЙ ЧИП // 2641545
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к светодиодным чипам, используемым в светодиодных осветительных системах. Светодиодный чип включает полупроводниковый светоизлучающий элемент, установленный на основании, содержащем пластину, изготовленную из диэлектрика, а также расположенное поверх указанных светоизлучающего элемента и пластины покрытие из полимерного компаунда, при этом на краевых участках верхней поверхности пластины из диэлектрика вблизи ее боковых сторон сформированы первая и вторая зоны металлизации, а светоизлучающий элемент имеет положительный и отрицательный металлические электрические выводы, один из которых соединен с первой зоной металлизации, а другой соединен со второй зоной металлизации. При этом основание выполнено в виде монопластины, изготовленной из диэлектрика, указанная пластина содержит сформированную в центральной части ее верхней поверхности третью зону металлизации, площадь которой превышает площадь нижней поверхности светоизлучающего элемента, а также содержит сформированные на ее нижней поверхности четвертую, пятую и шестую зоны металлизации, аналогичные по конфигурации и местоположению соответственно первой, второй и третьей зонам металлизации, светоизлучающий элемент расположен на поверхности третьей зоны металлизации, при этом в пластине из диэлектрика выполнены боковые металлизированные отверстия, посредством которых первая и четвертая зоны металлизации и вторая и пятая зоны металлизации сообщены друг с другом, а также центральные сквозные металлизированные отверстия, расположенные со стороны верхней поверхности указанной пластины на участках, не занятых светоизлучающим элементом, посредством которых третья и шестая зоны металлизации сообщены друг с другом. Техническим результатом, достигаемым при использовании изобретения, является упрощение конструкции и технологии изготовления светодиодного чипа при обеспечении высоких теплоотводящих свойств. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ МОДУЛЬ // 2638027
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к светоизлучающим модулям, используемым в осветительных приборах. Техническим результатом, достигаемым при использовании заявляемого изобретения, является обеспечение высоких теплоотводящих свойств светоизлучающего модуля. Технический результат достигается за счет того, что в светоизлучающем модуле, включающем группу электрически соединенных полупроводниковых светоизлучающих кристаллов, расположенных на общей плате, изготовленной из текстолита, и имеющих покрытие, выполненное из полимерного компаунда, верхняя и нижняя поверхности платы имеют металлическое покрытие. В плате сформированы сквозные металлизированные отверстия, посредством которых металлическое покрытие, имеющееся на верхней поверхности платы, и металлическое покрытие, имеющееся на нижней поверхности платы, сообщены друг с другом. Указанные отверстия выполнены на участках, не занятых кристаллами, а покрытие из полимерного компаунда выполнено в виде слоя полимерного материала, расположенного поверх платы с расположенными на ней кристаллами. При этом отношение площади металлического покрытия, имеющегося на нижней поверхности платы, к суммарной площади поперечного сечения металлизированной части сквозных отверстий составляет величину не более 65. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД // 2549335
Изобретение относится к светоизлучающим диодам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы. Светоизлучающий диод содержит эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы, включающую расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой n-типа проводимости, активный слой с p-n-переходом, слой p-типа проводимости, а также металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости, размещенные в углублениях, сформированных в эпитаксиальной структуре на уровне слоя n-типа проводимости, при этом светоизлучающий диод содержит металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве положительного электрода, нанесенный поверх слоя p-типа проводимости, изоляционный слой, покрывающий металлический p-контактный слой и внутреннюю боковую поверхность углублений, сформированных в эпитаксиальной структуре, и металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве отрицательного электрода, покрывающий изоляционный слой и контактирующий с каждой металлической контактной площадкой к слою p-типа проводимости, согласно изобретению металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости в горизонтальной плоскости сечения светоизлучающего диода имеют вид двух узких протяженных полос, каждая из которых расположена на периферии одной из половин указанного сечения и проходит вдоль большей части ее границы с отступом от нее, первый и второй концевые участки одной полосы расположены с зазором соответственно относительно первого и второго концевого участка второй полосы, при этом указанные полосы образуют фигуру, конфигурация которой соответствует конфигурации периметра светоизлучающего диода, имеющую разрыв в серединной ее части. Изобретение обеспечивает повышение однородности плотности тока в активной области светодиода и уменьшение последовательного электрического сопротивления. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
