Патенты автора ПОЛЛМАНН-РЕЧ Йенс (NL)

Группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Охлаждающее устройство (100) содержит монтажную площадку для лазерной установки, охлаждающий объем (140), содержащий охлаждающие каналы, выполненные с возможностью охлаждения монтажной площадки (105), впуск (150) хладагента и выпуск (145) хладагента, соединенные с охлаждающими каналами охлаждающего объема (140), первое сквозное отверстие (110) подачи хладагента, соединенное с впуском (150) хладагента, второе сквозное отверстие (111) подачи хладагента, соединенное с выпуском (145) хладагента. Кроме того, охлаждающее устройство (100) содержит по меньшей мере один соединительный элемент (115, 130, 135), обеспечивающий возможность разъединяемого межсоединения со вторым охлаждающим устройством (100), так что при межсоединении охлаждающего устройства (100) со вторым охлаждающим устройством (100) первое сквозное отверстие (110) подачи хладагента охлаждающего устройства (100) соединено с первым сквозным отверстием подачи хладагента второго охлаждающего устройства (100) и второе сквозное отверстие (111) подачи хладагента охлаждающего устройства (100) соединено со вторым сквозным отверстием подачи хладагента второго охлаждающего устройства (100), при этом охлаждающее устройство (100) расположено таким образом, что хладагент может подаваться в охлаждающий объем через первое сквозное отверстие (110) подачи хладагента и второе сквозное отверстие (111) подачи хладагента. Технический результат заключается в обеспечении возможности упрощения масштабирования лазерной системы. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 13 ил.

Данное изобретение описывает установочный слой (200) для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств. Установочный слой (200) содержит угловой выступ (205) и краевой выступ (210) для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающей структурой. Установочный слой (200) дополнительно содержит выравнивающие отверстия (215), определяющие установочные области (270) для установки светоизлучающих полупроводниковых устройств. Установочный слой (200) обеспечивает возможность, например, изготовления μ-канального охлаждающего устройства с установочными областями (270) посредством одного процесса непосредственного присоединения. Таким образом, могут быть уменьшены допуски. Данное изобретение дополнительно описывает охлаждающую структуру, подобную микроканальному охлаждающему устройству, содержащую установочный слой (200), и светоизлучающую структуру, содержащую охлаждающую структуру. Кроме того, описаны способы изготовления такого установочного слоя (200), охлаждающей структуры и светоизлучающей структуры. Изобретения обеспечивают возможность формирования простого в изготовлении установочного слоя для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств с высокой точностью позиционирования. 6 н. и 9 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный модуль содержит несколько подмодулей (1), размещенных вдоль первой оси (10) бок о бок на общем носителе, причем каждый из упомянутых подмодулей (1) содержит область (8) лазера, образованную одной или несколькими матрицами полупроводниковых лазеров (5) на поверхности подмодулей (1), и при этом лазерное излучение, испускаемое упомянутыми полупроводниковыми лазерами (5), образует распределение интенсивности в рабочей плоскости, обращенной к упомянутой поверхности подмодулей (1). Подмодули (1) и области (8) лазера выполнены и размещены так, что выступы областей (8) лазера смежных подмодулей (1) частично перекрываются в направлении, перпендикулярном упомянутой первой оси. Упомянутые области (8) лазера образованы компоновкой из упомянутых матриц полупроводниковых лазеров (5), которая содержит два параллельных боковых края (3). Упомянутые параллельные боковые края (3) смежных областей (8) лазера параллельны друг другу и наклонены под углом β к упомянутой первой оси (10), причем 0°<β<90°. Упомянутые области (8) лазера выполнены с возможностью генерировать однородное распределение интенсивности в рабочей плоскости в направлении, параллельном первой оси посредством наклоненной компоновки областей (8) лазера. Технический результат заключается в обеспечении возможности генерации лазерной линии без необходимости использования дополнительной оптики. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.

Группа изобретений относится к способу нагрева преформы, к управляющему устройству (7) для управления блоком (9) генерации лазерного излучения системы (10) нагрева преформ и системе (10) нагрева преформ. Способ нагрева преформы (1) характеризуется радиусом (R), толщиной (t) материала и спектром поглощения материала. Он содержит следующие этапы: выбирают, в зависимости от желательного температурного профиля, желательный эффективный коэффициент поглощения для преформы (1) на основании радиуса (R) преформы и толщины материала (t) и генерируют пучок (L) лазерного излучения. Пучок (L) лазерного излучения содержит излучение со спектром длин волн, составленным на основании коэффициентов поглощения в спектре поглощения так, чтобы он соответствовал эффективному коэффициенту поглощения. Направляют пучок (L) лазерного излучения на заготовку (1) для нагрева преформы (1). Управляющее устройство (7) для управления блоком (9) генерации лазерного излучения системы (10) нагрева преформ содержит входной интерфейс для получения геометрических параметров преформы, устройство выбора и модуль составления параметров лазера. Система (10) нагрева преформ включает управляющее устройство (7), блок (9) генерации лазерного излучения и блок (76) формирования пучка. Технический результат, достигаемый при использовании способа и устройств по изобретениям, заключается в поглощении энергии пучка лазерного излучения во всем материале преформы более равномерно. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 12 ил.

 


Наверх