Патенты автора Жданков Василий Николаевич (RU)

Изобретение относится к автоматизации в химической и полупроводниковой промышленности. Площадь поперечного сечения кристалла регулируют в процессе его выращивания вытягиванием из расплава с помощью механизма вытягивания с управляемым приводом в ростовых установках, имеющих датчик веса кристалла или тигля с расплавом. Для измерения площади поперечного сечения растущего кристалла равномерное движение, сообщаемое механизмом вытягивания затравкодержателю, модулируют непрерывными или импульсными ступенчатыми измерительными возвратно-поступательными перемещениями. Затем регистрируют величины перемещений затравкодержателя и величины выделенных модулированных откликов датчика веса. Вычисляют в заданном количестве точек величины площади поперечного сечения растущего кристалла , находят среднюю величину площади поперечного сечения и сравнивают её с задаваемым значением площади поперечного сечения. По сигналу рассогласования между измеренной величиной площади поперечного сечения и требуемой формируют необходимое изменение температуры нагревателя. Повышается качество выращенного кристалла. 7 ил.

 


Наверх