Патенты автора ЭККЕЛЬ Ханс-Гюнтер (DE)
МНОГОУРОВНЕВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2661638
Изобретение относится к многоуровневому преобразователю (10) с множеством последовательно соединенных суб-модулей (31, 32), которые соответственно имеют первый переключатель (S11, S21), второй переключатель (S12, S22) и конденсатор (C1, C2) и в фазе разряда посредством конденсатора выдают вовне ток, а в фазе заряда принимают ток для заряда конденсатора, и центральным устройством (20) для управления работой многоуровневого преобразователя (10). В соответствии с изобретением предусмотрено, что по меньшей мере два из суб-модулей (31, 32) соединены последовательно с образованием мульти-модуля (30), причем в фазах заряда и фазах разряда мульти-модуля (30) соответствующий один из переключателей каждого суб-модуля (31, 32) выключен, а соответствующий другой переключатель каждого суб-модуля (31, 32) включен, и мульти-модуль (30) имеет соединенное с центральным устройством (20) управляющее устройство (33), которое выполняет управление суб-модулями (31, 32) мульти-модуля (30) в соответствии с управляющими сигналами (Т1, Т2) центрального устройства (20), причем управляющее устройство (33) выполнено таким образом, что оно контролирует конденсаторные напряжения суб-модулей (31, 32) и в случае асимметрии конденсаторных напряжений вызывает симметрирование таким образом, что оно в суб-модулях (31) со слишком низким - по сравнению с конденсаторным напряжением остальных суб-модулей (32) мульти-модуля (30) – конденсаторным напряжением предусматривает соответственно по меньшей мере одну фазу блокировки (Tv), на которой первый и второй переключатели (S11, S21) одновременно выключены. 2 н.и 11 з.п. ф-лы, 8 ил.
МНОГОУРОВНЕВЫЙ ИНВЕРТОР // 2655912
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в многоуровневом инверторе. Техническим результатом является исключение разрушения суб-модулей при возникновении тока короткого замыкания в нагрузке. Многоуровневый инвертор (10) содержит множество последовательно соединенных суб-модулей (SB), которые, соответственно, имеют по меньшей мере первый переключатель, второй переключатель и конденсатор и в фазах разряда посредством конденсатора выдают ток вовне, а в фазах заряда получают ток для зарядки конденсатора. По меньшей мере один из суб-модулей (SB) имеет два гальванически соединенных друг с другом частичных модуля (ТМ1, ТМ2) или образован двумя гальванически соединенными друг с другом частичными модулями (TM1, ТМ2), которые имеют, соответственно, первый переключатель (S1), второй переключатель (S2) и конденсатор (C1, C2), а также первый и второй вывод (A1, А2) частичного модуля, и гальваническое соединение (VI, V2, V3, V4) между двумя частичными модулями (ТМ1, ТМ2) содержит по меньшей мере один индуктивный элемент (I1, I2, I3, I4). 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 8 ил.
ТРЕХТОЧЕЧНЫЙ ВЕНТИЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2632185
Изобретение относится к области электротехники. Предложен трехточечный вентильный преобразователь (1) с активными фиксаторами уровня, который содержит по меньшей мере одну полумостовую схему (5), включенную в контур (2) постоянного напряжения. Данная или каждая полумостовая схема (5) содержит последовательно соединенные входной полумост (20) стороны высокого потенциала и входной полумост (21) стороны низкого потенциала. Полумостовая схема (5) также содержит выходной полумост (22), включенный между средними отводами (25, 31) входных полумостов (20, 21). При этом полная индуктивность (Lg) внутри выходного полумоста (22), а также между тремя полумостами (20-22) рассчитана таким образом, что при отказе любого силового полупроводника (23, 24, 26, 27, 29, 30, 32, 33, 35, 36, 38, 39) полумостовой схемы (5) короткое замыкание через образованную между тремя полумостами (20-22) полумостовой схемы (5) цепь короткого замыкания может надежно отключаться посредством работоспособных силовых полупроводников (23, 24, 26, 27, 29, 30, 32, 33, 35, 36, 38, 39) в этой цепи короткого замыкания.16 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области электротехники. Чтобы создать субмодуль (13) для модульного многоступенчатого преобразователя (1), включающий в себя по меньшей мере один униполярный накопитель (14) энергии, первую и вторую соединительные клеммы (16, 17) и схему силовых полупроводников, которая имеет включаемые и отключаемые посредством сигнала управления силовые полупроводниковые реле (T1, T4, 19) и безынерционные диоды (D1, D2), включенные встречно параллельно предусмотренному силовому полупроводниковому реле (T1, T4), при этом в зависимости от настройки силовых полупроводниковых реле (T1, T4, 19) может создаваться напряжение, падающее на одном или всех накопителях энергии (14), или же нулевое напряжение между первой и второй соединительной клеммой (16, 17), и при этом схема силовых полупроводниковых реле образует шунтирующую ветвь (18), которая находится между точками потенциала первой и второй соединительных клемм (16, 17), который при нормальной эксплуатации обеспечивает технический результат - имеет низкие потери пропускания и, кроме того, оптимален по стоимости, предлагается, чтобы только расположенные в шунтирующей ветви (18) силовые полупроводниковые реле являлись силовыми полупроводниковыми реле (19), проводящими в обратном направлении. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 9 ил.
Изобретение относится к способу коммутации от работающего в диодном режиме биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) (Т1) с обратной проводимостью на работающий в IGBT-режиме IGBT (Т2) с обратной проводимостью. Технический результат заключается в обеспечении наименьшей чувствительности к временам запаздывания с плохо установленными допусками за счет того, что работающий в диодном режиме первый IGBT (Т1) отключается, как только начинает протекать ток во втором IGBT (Т2), работающем в определенном режиме. Технический результат достигается за счет включения работающего в диодном режиме IGBT (Т1) по прошествии предопределенного временного интервала (ΔT1) после смены управляющего сигнала (S*T1) этого IGBT (Т1) на состояние выключения, после чего происходит включение работающего в IGBT-режиме IGBT (Т2) по прошествии предопределенного временного интервала (ΔТ3) после смены управляющего сигнала (S*T2) этого IGBT (Т2) на состояние включения, причем этот временной интервал (ΔТ3) существенно больше, чем временной интервал (ΔT1) работающего в диодном режиме IGBT (Т1), после чего происходит отключение работающего в диодном режиме IGBT (Т1), как только начинает протекать ток в работающем в IGBT-режиме IGBT (Т2) с обратной проводимостью. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 11 ил.
Изобретение относится к способу управления двумя электрически последовательно включенными IGBT (Т1, Т2) полумостовой схемы (2), на которой существует рабочее постоянное напряжение (UG), причем эти обратнопроводящие IGBT (Т1, Т2) имеют три состояния переключения. В соответствии с изобретением способ содержит следующие этапы: установление каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) в течение стационарного состояния выключения соответствующего заданного управляющего сигнала (
S
T
*
) в состояние переключения «-15 В», удерживание обратнопроводящего IGBT (T1, T2) в состоянии переключения «+15 В» по истечении предопределенного временного интервала (ΔТ1) после перехода заданного управляющего сигнала (
S
T
*
) от состояния выключения в состояние включения, пока протекает ток от эмиттера к коллектору, установление обратнопроводящего IGBT (T1, T2) по истечении этого предопределенного временного интервала (ΔТ1) после перехода заданного управляющего сигнала (
S
T
*
) от состояния выключения в состояние включения, если тем самым обеспечивается возможность протекания тока от коллектора к эмиттеру, установление каждого обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) в состояние переключения «+15 В» на второй предопределенный временной интервал (ΔТ2) после перехода соответствующего заданного управляющего сигнала (
S
T
*
) от состояния включения в состояние выключения, и установление обратнопроводящего IGBT (T1, T2) полумостовой схемы (2) по истечении второго предопределенного временного интервала (ΔТ2) на третий предопределенный временной интервал (ΔТ3) в состояние переключения «0 В». Тем самым получают способ управления для двух электрически последовательно включенных IGBT (Т1, Т2) полумостовой схемы (2), которые имеют три состояния переключения, за счет чего достигается технический результат - заряд обратного восстановления при том же напряжении пропускания ниже по отношению к обычному способу управления. 8 з.п. ф-лы, 30 ил.
