Патенты автора Шишов Игорь Игоревич (RU)
Изобретение относится к области ядерного приборостроения. Устройство для измерения плотности потока нейтронов ядерной энергетической установки в условиях фоновой помехи от гамма-квантов и высокоэнергетичных космических электронов и протонов содержит замедлитель нейтронов, блок питания и два параллельно расположенных полупроводниковых детектора с нанесенным на чувствительную область каждого детектора конвертером нейтронов, при этом чувствительные области детекторов с нанесенными на них конверторами обращены по направлению друг к другу, при этом между детекторами расположена пластина из органического материала, а сигналы с детекторов, проходящие через отдельные для каждого детектора каналы регистрации, состоящие из зарядочувствительного предусилителя, устройства селекции сигналов по амплитуде и формирователя временной отметки, подаются на устройство временной селекции, работающее по схеме антисовпадений. Технический результат – измерение плотности потока нейтронов в условиях фоновой помехи от гамма-квантов и высокоэнергетичных космических электронов и протонов. 2 ил.
Изобретение относится к области ядерного приборостроения и может быть использовано при создании аппаратуры радиационного контроля для определения спектрометрических, радиометрических и дозиметрических параметров загрязненной среды при одновременной регистрации альфа-, бета- и гамма-излучений. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр-радиометр для одновременного анализа характеристик смешанных полей альфа-, бета- и гамма-излучений на основе комбинированного детектора, состоящего из полупроводникового «пролетного» детектора для регистрации альфа-излучения (в роли которого выступает кремниевый детектор толщиной 200-300 мкм), органического сцинтиллятора (в роли которого выступает паратерфенил толщиной 7 мм), и кристаллического сцинтиллятора NaI(Tl). Для регистрации бета-излучения используются сигналы кремниевого детектора и паратерфенила, регистрация гамма-излучений осуществляется с помощью сцинтиллятора NaI(Tl). Полупроводниковый кремниевый детектор расположен со стороны входного окна комбинированного детектора, вплотную к паратерфенилу. Сцинтиллятор NaI(Tl) расположен за паратерфенилом и крепится вплотную к ФЭУ. Между сцинтилляторами NaI(Tl) и паратерфенил установлено кварцевое стекло. Сборка паратерфенил, NaI(Tl), кварцевое стекло и фотоэлектронный умножитель представляет собой фосвич-детектор из двух сцинтилляторов. Технический результат - повышение эффективности разделения бета- и гамма-излучений. 3 ил.
