Патенты автора Родченков Владимир Ильич (RU)
Способ выращивания водорастворимых монокристаллов, использующий кондиционирование раствора // 2717800
Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов, в частности, группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики. В предложенном способе соединяют кристаллизатор и термостатируемую камеру насыщения в систему сообщающихся сосудов, в результате чего пересыщенный раствор из кристаллизатора поступает в термостатируемую камеру насыщения самотеком за счет естественного гидростатического перетекания. Для кондиционирования раствора используют устройство коалесценции микропузырьков воздуха совместно с газосепаратором с камерой и выводным клапаном, вместе выполняющими функцию гидроциклона и обеспечивающими вывод нежелательного воздуха из циркулирующего раствора, и микрофильтры для его фильтрации от твердых микрочастиц. В результате в кристаллизатор возвращают раствор с температурой выше температуры насыщения, насыщенный по растворенному необходимому для роста монокристалла веществу, обедненный по растворенному воздуху, отфильтрованный от твердых микрочастиц. Это позволяет организовать процесс скоростного роста монокристаллов высокого качества и уменьшить до технического минимума необходимый объем ростовой аппаратуры. 2 ил.
Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики. Монокристаллы группы KDP выращивают из переохлажденного водного раствора на вырезанную заданным образом затравку, которую изолируют стенками из химически стерильной звукопрозрачной мембраны, в изолированную ростовую зону подают раствор, прошедший через систему очистки, а рост кристалла осуществляют при воздействии на затравку акустическим полем амплитудой 105-106 Па и частотой 0,5-2,0 МГц при его пространственном градиенте не менее 105 Па/см в режиме сканирования акустическим полем по растущей кристаллической поверхности. Технический результат - повышение скорости роста и оптической однородности кристаллов. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.
