Патенты автора Бабайлов Александр Алексеевич (RU)
БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР ДЛЯ РАБОТЫ В ЖДУЩЕМ РЕЖИМЕ // 2646387
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для формирования прямоугольных импульсов стабильной длительности блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности длительности прямоугольных импульсов блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме. Блокинг-генератор содержит ключевой транзистор и трансформатор, первичная обмотка которого включена между коллектором ключевого транзистора и источником питания, вторичная обмотка подключена к базе ключевого транзистора, содержит также регулирующий транзистор и первый и второй резисторы, причем первый резистор включен между эмиттером ключевого транзистора и общей землей, параллельно этому резистору включен эмиттерный переход регулирующего транзистора, эмиттер регулирующего транзистора соединен с общей землей, а база его подключена к эмиттеру ключевого транзистора, коллектор регулирующего транзистора соединен с базой ключевого транзистора. Тот конец вторичной обмотки, который не соединен с базой, подключен к общей земле через второй резистор. 1 ил.
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для формирования прямоугольных импульсов при оптимальном соотношении КПД и габаритов блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме. Технический результат заключается в оптимизации соотношения КПД и габаритов блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме за счет снижения границы насыщения магнитопровода трансформатора. Генератор содержит ключевой транзистор и трансформатор, первичная обмотка которого включена между коллектором ключевого транзистора и источником питания, вторичная обмотка подключена к базе ключевого транзистора, содержит также регулирующий транзистор, первый, второй, третий и четвертый резисторы и конденсатор, причем первый резистор включен между эмиттером ключевого транзистора и общей землей, параллельно этому резистору включен эмиттерный переход регулирующего транзистора, эмиттер регулирующего транзистора соединен с общей землей, а база его подключена к эмиттеру ключевого транзистора и коллектор регулирующего транзистора соединен с базой ключевого транзистора. Конец вторичной обмотки, который не соединен с базой, подключен через второй резистор к схеме смещения из делителя напряжения питания на третьем и четвертом резисторах и конденсатора. 1 ил.
Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к тонкопленочной технологии. Сущность способа изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку шлифуют, располагают ее в импланторе, направляют сфокусированный поток ионов на подложку и рисуют им резистор. Техническим результатом изобретения является расширение арсенала способов изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке. 1 ил.
Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к технологии производства печатных плат. Технический результат изобретения - создание способа изготовления межслойного перехода между печатными проводниками на кристаллической или поликристаллической подложке, улучшающего адгезию за счет изменения свойств кристалла. Достигается тем, что в способе изготовления межслойного перехода между печатными проводниками на кристаллической или поликристаллической подложке берут подложку с переходными отверстиями, при помощи фоторезиста маскируют ее поверхности, за исключением колец вокруг переходных поверхностей. Располагают подложку в импланторе, экспонируют ее потоком ионов металла с одновременным вращением вокруг оси, перпендикулярной плоскости подложки, причем подложку размещают под углом к потоку ионов, обеспечивающим наилучшее их попадание в переходные отверстия. Извлекают заготовку из имплантора, переворачивают ее, снова располагают в импланторе и повторяют экспонирование с другой стороны. Извлекают заготовку из имплантора и наносят гальваническую медь стандартным способом. 4 ил.
Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к технологии производства печатных плат. Сущность способа подготовки кристаллической или поликристаллической подложки под металлизацию заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку стандартным образом шлифуют, на подложку наносят фоторезист, который затем засвечивают и травят, фоторезист покрывают маской и активным металлом для снятия заряда, создают внедренные дислокации, для чего выбранный металл обрабатывают потоком ионов от ионного ускорителя и после активации подложки маску и активный металл смывают жидким веществом, не реагирующим с активирующим металлом. Техническим результатом изобретения является расширение арсенала технических средств для подготовки кристаллических или поликристаллических подложек под металлизацию. 1 ил.
ОПТИЧЕСКАЯ ФАЗИРОВАННАЯ АНТЕННАЯ РЕШЕТКА // 2552142
Изобретение относится к фазированным антенным решеткам. Технический результат изобретения заключается в расширении арсенала технических средств реализации оптической ФАР. Оптическая фазированная антенная решетка содержит пучок оптических волокон, торцы которых с одной стороны составляют плоскость фазированной антенной решетки (ФАР), с другой - приемо-передающую оптическое излучение плоскость, согласующую оптическую систему для равномерного распределения оптического излучения от лазера по всей приемопередающей плоскости пучка оптических волокон; каждое волокно изолировано от обкладок других волокон, одна из обкладок «конденсатора» контактирует с соответствующим элементом на токопроводящей резине, который соединяется с соответствующим контактом на «нижней» плате, а другая контактирует с общей шиной через токопроводящую резину, где есть единый для всех «верхних» обкладок «конденсаторов» контакт. Такие одномерные массивы собираются один над другим, образуя матрицу. Управление фазой оптического излучения происходит через «нижние» платы посредством системы управления, синхронизации и обработки информации через цифроаналоговые преобразователи. 2 ил.
