Патенты автора Котомина Валентина Евгеньевна (RU)

Изобретение относится к способам применения электрических приборов и нанокомпозитным материалам на основе диэлектриков и металлов для оптоэлектроники, мемристорной электроники, оптическим компьютерам (в т.ч. - нейроморфным оптоэлектронным вычислительным системам). Способ обратимого энергозависимого переключения резистивного состояния твердотельного прибора на базе структуры «металл-диэлектрик-металл», содержащего в средней части - в слое диэлектрика внедренные металлические изолированные друг от друга наночастицы размером 1-3 нм и по крайней мере один из электродов, выполненный из проводящего прозрачного для оптического излучения материала, при этом согласно изобретению обратимое энергозависимое переключение резистивного состояния прибора осуществляют посредством освещения области диэлектрика, содержащей наночастицы, оптическим излучением, длина волны которого соответствует длине волны плазмонного резонанса в массиве наночастиц, и одновременным приложением электрического напряжения к электродам структуры, создающего внутри слоя диэлектрика электрическое поле, напряженность которого недостаточна для изменения резистивного состояния структуры в отсутствие освещения. Изобретение обеспечивает возможность улучшения воспроизводимости параметров мемристора. 1 ил.

Изобретение относится к взрывной фотолитографической технологии и может быть использовано, когда получение рабочего рисунка из активного материала (металла или полупроводника) методами избирательного химического или плазмохимического травления через фоторезистную маску затруднено или нецелесообразно в связи с повышенной химической стойкостью к травлению активного материала. Предложен способ взрывной литографии, включающий нанесение на подложку слоя полимерного фоторезиста и его сушку, избирательное облучение слоя фоторезиста, получение путем проявления и сушки резистной маски с изображением, обратным по отношению к рабочему рисунку, нанесение в высокотемпературных условиях на всю поверхность подложки и сформированной на ней резистной маски слоя активного материала с последующим удалением резистной маски с нанесенным на нее слоем активного материала, путем растворения полимерного фоторезиста, расположенного под слоем активного материала, причем растворение полимерного фоторезиста сопровождается его набуханием и образованием рабочего рисунка из оставшегося нанесенного на поверхность подложки слоя активного материала. Для обеспечения высокотемпературной формостойкости и термостойкости резистной маски в исходный полимерный фоторезист, изготовленный из фенолформальдегидной смолы и производного ортонафтохинондиазида, вводят добавку полигидроксилсодержащего соединения, выбранного из глицерина и полиэтиленгликоля с молекулярной массой от 380 до 650 единиц, в количестве 1-11% от массы производного ортонафтохинондиазида. Технический результат - повышение эффективности взрывной фотолитографии за счет повышения ее технологичности. 2 з.п. ф-лы, 10 табл., 2 пр.

Изобретение относится к технологии изготовления резистных масок в производстве микросхем, в частности изготовления резистных масок с расширенным диапазоном разрешения изображений. Технический результат изобретения - разработка способа изготовления резистной маски позитивного типа с расширенным диапазоном разрешения изображения. Для достижения указанного технического результата в способе изготовления резистной маски с расширенным диапазоном разрешения изображения, включающем на первом этапе формирование в нанесенном позитивном фоторезисте участков резистной маски с низким разрешением изображения методом фотолитографии и на втором этапе получение на сохраненных от облучения светом при осуществлении фотолитографии участках указанного фоторезиста элементов резистной маски с высоким разрешением изображения методом избирательного механического удаления слоя фоторезиста посредством зонда атомно-силового микроскопа, на втором этапе на участках позитивного фоторезиста, предназначенных для получения элементов резистной маски с высоким разрешением изображения, в местах расположения пробельных фрагментов указанных элементов формируют с помощью зонда атомно-силового микроскопа узкие выемки с высоким разрешением под указанные фрагменты, после чего для увеличения размеров этих выемок до требуемых размеров указанных пробельных фрагментов проводят экспонирование светом всей поверхности резистной маски с дозой облучения, приводящей к увеличению растворимости позитивного фоторезиста без превышения ее нижней пороговой величины в интервале растворимостей, задаваемом технологическим процессом на первом этапе, и последующее проявление элементов резистной маски с высоким разрешением изображения. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Группа изобретений относится к способам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов на твердом теле с использованием светочувствительных составов, например фоторезистов, содержащих диазосоединения в качестве светочувствительных веществ, а именно к способам формирования фоторезистной маски позитивного типа, которые могут найти применение в области микроэлектроники для получения изделий при помощи технологических способов, включающих стадию фотолитографии. Способ формирования фоторезистной маски позитивного типа включает нанесение на подложку позитивного фоторезиста, содержащего новолачную смолу и орто-нафтохинондиазидное соединение, использующееся в качестве светочувствительной компоненты, сушку, экспонирование и проявление. При этом в состав фоторезиста непосредственно перед нанесением его на подложку вводят 1,3-динитробензилиденмочевину, либо 1,5-дифенилсемикарбазид, либо N,N'-метилен-бисакриламид в количестве 5-15% по отношению к количеству орто-нафтохинондиазидного соединения. Результатом является улучшение качества края фоторезистной маски, увеличение срока службы используемого фоторезиста. 3 н.п. ф-лы, 1 табл.

 


Наверх