Патенты автора Леонов Евгений Сергеевич (RU)
Группа изобретений относится к способам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов на твердом теле с использованием светочувствительных составов, например фоторезистов, содержащих диазосоединения в качестве светочувствительных веществ, а именно к способам формирования фоторезистной маски позитивного типа, которые могут найти применение в области микроэлектроники для получения изделий при помощи технологических способов, включающих стадию фотолитографии. Способ формирования фоторезистной маски позитивного типа включает нанесение на подложку позитивного фоторезиста, содержащего новолачную смолу и орто-нафтохинондиазидное соединение, использующееся в качестве светочувствительной компоненты, сушку, экспонирование и проявление. При этом в состав фоторезиста непосредственно перед нанесением его на подложку вводят 1,3-динитробензилиденмочевину, либо 1,5-дифенилсемикарбазид, либо N,N'-метилен-бисакриламид в количестве 5-15% по отношению к количеству орто-нафтохинондиазидного соединения. Результатом является улучшение качества края фоторезистной маски, увеличение срока службы используемого фоторезиста. 3 н.п. ф-лы, 1 табл.
