Патенты автора Зеленцов Сергей Васильевич (RU)
СПОСОБ ВЗРЫВНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ // 2610843
Изобретение относится к взрывной фотолитографической технологии и может быть использовано, когда получение рабочего рисунка из активного материала (металла или полупроводника) методами избирательного химического или плазмохимического травления через фоторезистную маску затруднено или нецелесообразно в связи с повышенной химической стойкостью к травлению активного материала. Предложен способ взрывной литографии, включающий нанесение на подложку слоя полимерного фоторезиста и его сушку, избирательное облучение слоя фоторезиста, получение путем проявления и сушки резистной маски с изображением, обратным по отношению к рабочему рисунку, нанесение в высокотемпературных условиях на всю поверхность подложки и сформированной на ней резистной маски слоя активного материала с последующим удалением резистной маски с нанесенным на нее слоем активного материала, путем растворения полимерного фоторезиста, расположенного под слоем активного материала, причем растворение полимерного фоторезиста сопровождается его набуханием и образованием рабочего рисунка из оставшегося нанесенного на поверхность подложки слоя активного материала. Для обеспечения высокотемпературной формостойкости и термостойкости резистной маски в исходный полимерный фоторезист, изготовленный из фенолформальдегидной смолы и производного ортонафтохинондиазида, вводят добавку полигидроксилсодержащего соединения, выбранного из глицерина и полиэтиленгликоля с молекулярной массой от 380 до 650 единиц, в количестве 1-11% от массы производного ортонафтохинондиазида. Технический результат - повышение эффективности взрывной фотолитографии за счет повышения ее технологичности. 2 з.п. ф-лы, 10 табл., 2 пр.
Изобретение относится к технологии изготовления резистных масок в производстве микросхем, в частности изготовления резистных масок с расширенным диапазоном разрешения изображений. Технический результат изобретения - разработка способа изготовления резистной маски позитивного типа с расширенным диапазоном разрешения изображения. Для достижения указанного технического результата в способе изготовления резистной маски с расширенным диапазоном разрешения изображения, включающем на первом этапе формирование в нанесенном позитивном фоторезисте участков резистной маски с низким разрешением изображения методом фотолитографии и на втором этапе получение на сохраненных от облучения светом при осуществлении фотолитографии участках указанного фоторезиста элементов резистной маски с высоким разрешением изображения методом избирательного механического удаления слоя фоторезиста посредством зонда атомно-силового микроскопа, на втором этапе на участках позитивного фоторезиста, предназначенных для получения элементов резистной маски с высоким разрешением изображения, в местах расположения пробельных фрагментов указанных элементов формируют с помощью зонда атомно-силового микроскопа узкие выемки с высоким разрешением под указанные фрагменты, после чего для увеличения размеров этих выемок до требуемых размеров указанных пробельных фрагментов проводят экспонирование светом всей поверхности резистной маски с дозой облучения, приводящей к увеличению растворимости позитивного фоторезиста без превышения ее нижней пороговой величины в интервале растворимостей, задаваемом технологическим процессом на первом этапе, и последующее проявление элементов резистной маски с высоким разрешением изображения. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Группа изобретений относится к области составов для ухода за полостью рта и может быть использовано в парфюмерно-косметической промышленности для производства указанных составов. Предлагается применение соли цинка или меди (II) общей формулы , где M - Zn или Cu, R1 - водород или метил, R2 выбран из группы, включающей водород, замещенный или незамещенный алкил, алкенил, алкадиенил, замещенный или незамещенный арил, в качестве компонента состава для ухода за полостью рта, а также состав для ухода за полостью рта, включающий указанную соль в количестве от 0,5 до 5% от массы состава. При этом приемлемая для полости рта основа может содержать многоатомный спирт, поверхностно-активное вещество, вкусовые, ароматизирующие и другие функциональные добавки и деионизированную воду. Применение солей цинка или меди (II), отвечающих формуле (1), в составе средств для ухода за полостью рта позволяет сохранять в полости рта бактерицидное и/или фунгицидное, противоэрозионное и репаративное действие состава в течение длительного промежутка времени после использования состава, благодаря способности этих соединений проникать в поверхностный слой зубной эмали и удерживаться в нем в течение длительного времени. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 7 табл., 69 пр.
Группа изобретений относится к способам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов на твердом теле с использованием светочувствительных составов, например фоторезистов, содержащих диазосоединения в качестве светочувствительных веществ, а именно к способам формирования фоторезистной маски позитивного типа, которые могут найти применение в области микроэлектроники для получения изделий при помощи технологических способов, включающих стадию фотолитографии. Способ формирования фоторезистной маски позитивного типа включает нанесение на подложку позитивного фоторезиста, содержащего новолачную смолу и орто-нафтохинондиазидное соединение, использующееся в качестве светочувствительной компоненты, сушку, экспонирование и проявление. При этом в состав фоторезиста непосредственно перед нанесением его на подложку вводят 1,3-динитробензилиденмочевину, либо 1,5-дифенилсемикарбазид, либо N,N'-метилен-бисакриламид в количестве 5-15% по отношению к количеству орто-нафтохинондиазидного соединения. Результатом является улучшение качества края фоторезистной маски, увеличение срока службы используемого фоторезиста. 3 н.п. ф-лы, 1 табл.
