Патенты автора Макрушина Анна Николаевна (RU)
Способ получения тонких алмазных пленок // 2685665
Изобретение относится к способу получения тонких алмазных пленок и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и активных слоев тонкопленочных наноструктур. Предлагается способ получения тонких алмазных пленок на подложке методом вакуумного лазерного воздействия на мишени и конденсацией углерода на подложки, где в качестве мишеней используют предварительно спрессованные таблетки детонационного наноалмаза и таблетки из высокочистого графита, а лазерное воздействие осуществляют в два этапа: вначале сфокусированным излучением лазера на основе алюмоиттриевого граната с длиной волны 1064 нм серией 10-20 импульсов с энергией импульса 3,8-5,8 Дж диспергируют мишень из детонационного наноалмаза и формируют на подложке наноалмазные нуклеационные центры; затем промежутки между нуклеационными центрами заполняют углеродом с преимущественно sp3-связями, сконденсированным из парогазовой фазы, полученной испарением мишени из высокочистого графита путем воздействия расфокусированным лазерным излучением этого же лазера с интенсивностью энергии импульса не ниже 1,6⋅104 Вт/см2. В ходе конденсации углерода на подложку, предварительно заселенную нуклеационными центрами, преимущественно с размерами 5,73 нм, наблюдается их разрастание до частиц размером около 285,15 нм. Совокупность таких частиц (островков) формирует плоскую тонкопленочную плотноупакованную гексагональную структуру, представляющую собой поликристаллический агрегат из островков, кристаллографически одинаково ориентированных относительно поверхности пленки. 10 ил., 3 табл., 5 пр.
Способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке // 2680072
Изобретение относится к области физики низкоразмерных структур, а именно к формированию наноразмерной тонкопленочной структуры, и может быть использовано в различных высокотехнологичных областях промышленности и науки для создания новых материалов. Способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке включает конденсацию в вакууме металлических слоев и проведение синтеза интерметаллического соединения так, что слои меди и олова наносят на подогретую стеклянную подложку в последовательности Cu/Sn в интервале температур 50-400°С, а температуру подложки определяют из необходимого содержания интерметаллических фаз Cu6Sn5 и Сu3Sn в пленке. Технический результат заключается в получении тонких пленок бинарной системы Cu-Sn в виде островков интерметаллической фазы с регулируемым соотношением концентраций интерметаллических фаз Cu6Sn5 и Сu3Sn, обладающих характерными физико-механическими свойствами. 10 ил., 5 табл., 5 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НА СТЕКЛЯННОЙ ПОДЛОЖКЕ // 2601365
Изобретение относится к области физики наноразмерных структур, а именно способу получения тонких металлических пленок, которые могут быть использованы в качестве тест объектов оптических приборов. Способ получения тонкой нанокристаллической пленки системы Ni-Al на стеклянной подложке включает нанесение конденсацией в вакууме металлических слоев на стеклянную подложку и проведение синтеза интерметаллического соединения, при этом на стеклянную подложку наносят не менее шести слоев в последовательности Ni/Al/Ni/Al/Ni/Al в вакууме при остаточном давлении не хуже 10-5 торр с толщиной каждого слоя от 30 до 60 нм, а синтез интерметаллического соединения осуществляют с помощью релаксационного отжига в вакууме путем ступенчатого нагрева со скоростью 1 град/с в интервале температур от 20 до 300°С до получения тонкой нанокристаллической пленки с заданной плотностью интерметаллической фазы. Изобретение направлено на создание наноструктурных тонких пленок с регулируемой плотностью распределения интерметаллической фазы. 6 пр., 4 табл., 6 ил.
Изобретение относится к области физики наноразмерных структур, а именно способу получения тонких металлических пленок, в частности, системы Ni-Al. На стеклянную подложку в вакууме при остаточном давлении не ниже 10-5 Торр наносят не менее шести металлических слоев толщиной 30-60 нм в последовательности Ni/Al/Ni/Al/Ni/Al и осуществляют химическую реакцию между слоями путем нагрева многослойной тонкопленочной металлической системы от комнатной температуры до 600°C с умеренной скоростью 1 град/с для осуществления объемного синтеза. Процесс синтеза происходит во всем объеме многослойной пленки без формирования волны синтеза. После проведения нагрева до 600°C на рентгенограмме наблюдают рефлексы интерметаллической фазы алюминида никеля, что свидетельствует о монофазности тонкой интерметаллической пленки. 4 пр., 4 табл., 5 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НА СТЕКЛЯННОЙ ПОДЛОЖКЕ // 2566129
Изобретение относится к области физики низкоразмерных структур, а именно к способу получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке, и может быть использовано в различных высокотехнологичных областях промышленности и науки для создания новых материалов. Осуществляют конденсацию в вакууме металлических слоев на подложке и проведение синтеза интерметаллического соединения. На стеклянную подложку наносят не менее шести слоев в последовательности Cu/Sn/Cu/Sn/Cu/Sn при остаточном давлении не ниже 10-5 торр в вакууме с толщиной каждого слоя 30-60 нм. Синтез интерметаллического соединения проводят с помощью релаксационного отжига в вакууме путем ступенчатого нагрева со скоростью 1 град/с в интервале температур от 20°C до 300°C до получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки с плотностью интерметаллической фазы в зависимости от конечной температуры нагрева. Обеспечивается получение интерметаллических тонких пленок для создания наноструктурных материалов с регулируемой плотностью распределения интерметаллической фазы. 12 ил., 4 табл., 6 пр.
Изобретение относится к области физики низкоразмерных структур, а именно к способу получения монофазной интерметаллической тонкой пленки с наноразмерной структурой на стеклянной подложке, и может быть использовано в различных высокотехнологичных областях промышленности и науки для создания наноструктурных материалов на основе интерметаллических соединений. На стеклянную подложку в вакууме при остаточном давлении не ниже 10-5 торр наносят не менее шести металлических слоев в последовательности Cu/Sn/Cu/Sn/Cu/Sn с толщиной каждого слоя 30-60 нм и осуществляют химическую реакцию между слоями с помощью релаксационного отжига путем нагрева в вакууме от комнатной температуры до 600°С со скоростью 1 град/с для обеспечения объемного синтеза. Обеспечивается получение монофазной интерметаллической тонкой пленки. 4 ил., 2 табл., 4 пр.
