Патенты автора Князев Егор Владимирович (RU)
Изобретение относится к области физики, нанотехнологии и электротехники, а именно к модифицированию поверхности электродного материала для изготовления электродов суперконденсаторов. Техническим результатом является повышение электрохимических характеристик электродного материала на основе МУНТ (многостенных углеродных нанотрубок). Согласно изобретению, способ модифицирования электродного материала суперконденсатора включает: синтез углеродных нанотрубок методом химического газофазного осаждения, при этом в газофазный реактор вводится катализатор, состоящий из суспензии на основе смеси оксалатов никеля и магния, предварительно нанесенный на кварцевую подложку, затем синтезированные в виде порошка углеродные нанотрубки диспергируются в этиловом спирте с использованием ультразвука и осаждаются на металлическую положку в процессе выпаривания спирта при температуре 40÷50°С, после этого проводится их облучение ионами аргона при энергиях ε=5÷15 кэВ и плотности потока ϕ=4⋅1016÷8⋅1016 ион/см2 и последующее механическое отделение от поверхности подложки с формированием электродного материала суперконденсатора в виде порошка. 1 ил., 1 табл., 4 пр.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе изготовления электронных устройств, в которых необходима пористая интегрированная мембрана: газовые фильтры в составе селективных газовых сенсоров, датчики скорости потока газов, топливные элементы и т.п. Способ получения кремниевой пористой мембраны в монолитном обрамлении включает формирование пористого слоя методом анодного травления пластины кремния, вскрытие пористого слоя с тыльной стороны пластины кремния путем механического утонения, удаление верхнего слоя с низкой пористостью методом ионного распыления ионами Ar+. Пористый слой пластины кремния формируют методом анодного травления в электролите состава HF:(CH3)2CO в объемном соотношении 1:(2-4), а удаление мелкодисперсного кремния со дна лунки с тыльной стороны проводят методом ионного распыления ионами Ar+. Формирование пористого слоя методом анодного травления пластины кремния проводят в однокамерной ячейке, пластины кремния во время анодного травления освещают сверху лампой накаливания. Техническим результатом изобретения является создание механически прочных кремниевых пористых мембран в монолитном обрамлении с варьируемыми размерами толщины мембраны и диаметров пор. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе получения материалов с высокой газовой чувствительностью и малыми размерами для изготовления газовых сенсоров. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности газочувствительного элемента к NO2 при комнатной температуре. Способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и SnOx включает двухэтапное анодное травление пластины кремния, окисление полученной двухслойной структуры путем высокотемпературного отжига в парах кислорода с последующим нанесением пленки SnOx методом осаждения из парогазовой фазы. Перед стадией высокотемпературного отжига двухслойную структуру окисляют в электролите состава НСl:Н2О 1:7 при плотности тока 20 мА/см2 в течение 5 минут, а полученную многослойную структуру с осажденной пленкой SnOx подвергают термическому отжигу при температуре 350-450°С в течение 60 минут на воздухе. 1 ил., 1 табл.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе создания многослойной структуры пористый кремний на изоляторе, например, для газовых сенсоров. Способ получения многослойной структуры пористый кремний на изоляторе включает анодное травление пластины монокристаллического кремния дырочного типа, которое проводят в два этапа. На первом этапе анодного травления формируют слой макропористого кремния, а на втором этапе - слой мезопористого кремния, находящийся под слоем макропористого кремния, затем проводят сушку в вакууме и высокотемпературный отжиг. Техническим результатом изобретения является получение многослойной структуры пористый кремний на изоляторе с преимуществами развитой поверхности и изолированности от подложки кремния, а также снижение температуры отжига структуры. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
