Патенты автора Иванова Александра Ивановна (RU)
Изобретение относится к способу обработки поверхности цветного металла путем формирования микрорельефа и может найти применение в разных секторах металловедения и металлообработки. Осуществляют механическую обработку выбранной зоны поверхности с чистотой поверхности Rz не более 1 мкм, а затем обработку выбранной зоны облучением лазерным излучением. Облучение выполняют на лазерной длине волны используемого лазерного источника при плотности энергии в импульсе 0,1-1 Дж/см2 по растровой траектории с обеспечением перекрытия пятен лазерного пучка не менее 95%. Каждую зону обработки облучают серией из нескольких десятков лазерных импульсов с длительностью 10-12 - 3⋅10-8 с, обеспечивающей проявление регулярного микрорельефа на приповерхностном слое меди или ее сплава без их плавления. После проявления регулярного микрорельефа на приповерхностном слое меди или ее сплава перемещают пятно от лазерного луча по зоне и повторяют лазерную обработку. Технический результат заключается в обеспечении возможности выявления зернограничной структуры и получения регулярного микрорельефа поверхности меди или ее сплава без заметного кратерообразования на поверхности, ухудшающего качество поверхности. 11 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в технологических целях для оценки плотности дислокаций при работе с монокристаллическим германием. Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника согласно изобретению включает облучение поверхности полупроводника на лазерной длине волны, при этом для облучения каждой зоны используют серию лазерных импульсов с частотой следования лазерных импульсов, плотностью энергии лазерного пучка в облучаемой зоне и длительностью импульса, обеспечивающих изменение микроструктуры поверхности приповерхностного слоя полупроводника без его плавления, при этом полупроводник выполняют в виде монокристаллического германия с кристаллографической ориентацией <111> и отполированной подвергаемой облучению поверхностью, облучение поверхности монокристаллического германия осуществляют лазерным пучком при плотности энергии в импульсе 0,1-1,15 Дж/см2 по растровой траектории с возможностью обеспечения перекрытия пятен лазерного пучка на подвергаемой облучению поверхности не менее 95%, облучение осуществляют на длине волны вне зоны прозрачности германия, при этом каждую зону облучают серией из нескольких десятков лазерных импульсов, длительность импульса не менее 1 нс и не более 30 нс. Изобретение обеспечивает повышение качества проявления регулярного микрорельефа поверхности монокристаллического германия и определения перепадов по высоте на поверхности микрорельефа. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
Способ определения удельного электросопротивления полупроводников с помощью инфракрасной оптики // 2750427
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для неразрушающего контроля удельного электросопротивления полупроводниковых кристаллических материалов, в частности монокристаллов германия. В способе согласно изобретению образец размещают на подложке, экранирующей электромагнитное излучение от нагревательного элемента, быстро нагревают, регистрируют его тепловизионное изображение, определяют опорные точки, имеющие минимальную и максимальную температуру образца, измеряют в этих точках электросопротивление четырехзондовым методом, строят температурные профили и на их основании с помощью предложенной формулы. Изобретение обеспечивает возможность осуществлять контроль распределения удельного электросопротивления полупроводниковых материалов более точно с минимальным повреждением поверхности образца. 4 ил.
Изобретение относится к области фармацевтики и медицины, а именно к способу получения макропористой пленки для регенеративной медицины на основе L-цистеина, нитрата серебра и поливинилового спирта. Способ включает смешивание водного раствора L-цистеина с водным раствором нитрата серебра при определенной концентрации L-цистеина в смеси и определенном отношении молярных концентраций нитрата серебра к L-цистеину в смеси, после чего смесь оставляют в защищенном от света месте для формирования L-цистеин-серебряного раствора, который затем последовательно смешивают с водным раствором поливинилового спирта в определенной концентрации и водным раствором сульфата с катионом из ряда: Na, K, Mg, Zn, Ni, Co, через определенное время, зависящее от концентрации сульфата и типа катиона, система переходит из жидкого состояния в гель, который замораживают при температуре от -5 до -20 оС и выдерживают в замороженном состоянии от 12 до 24 часов, далее гель размораживают, полученную водно-гелевую массу центрифугируют, полученную декантированием воды гелевую массу наносят на полимерную подложку и сушат в вакууме при определенном остаточном давлении и комнатной температуре с получением слегка желтоватой опалесцирующей макропористой пленки. Изобретение обеспечивает сохранение активной супрамолекулярной структуры и дальнейшее получение макропористых пленок на основе L-цистеина, нитрата серебра и поливинилового спирта, пригодных для применения в целях регенеративной медицины. 7 ил., 1 пр.
Изобретение относится к получению гелей на основе L-цистеина, нитрата серебра и поливинилового спирта. Способ включает смешение водного раствора L-цистеина с водным раствором нитрата серебра так, чтобы концентрация L-цистеина в смеси составляла от 1,5 до 4,5 мМ, а отношение молярных концентраций нитрата серебра к L-цистеину в смеси находилось в диапазоне от 1,25 до 1,30, где далее смесь оставляют в защищенном от света месте при температуре 18-28 оС на 4-12 часов для формирования L-цистеин-серебряного раствора, затем последовательно смешивают L-цистеин-серебряный раствор с водным раствором поливинилового спирта, так что его концентрация в смеси находится в пределах от 1,0 до 2,0 мас. %, и водным раствором сульфата с катионом из ряда Na+, K+, Mg2+, Zn2+, Ni2+, Co2+ при концентрации сульфата в смеси в пределах 0,075-0,750 мМ, через определенное время, зависящее от концентрации сульфата и типа катиона, система переходит из жидкого состояния в гель. Изобретение позволяет получить гели на основе L-цистеина, нитрата серебра и поливинилового спирта, пригодные для использования в качестве матрицы для инкапсулирования лекарственных препаратов. 3 ил., 1 пр.
Изобретение относится к области оптики, а именно к способам определения оптической однородности и выявления структурных дефектов оптических кристаллов, и может быть использовано для контроля качества одноосных кристаллов. Целью изобретения является разработка способа определения степени однородности одноосных кристаллов, позволяющего определять их пригодность для использования в электронно-оптических и акустооптических устройствах. Сущность: проводят анализ с помощью специализированного программного обеспечения зарегистрированных методом лазерной коноскопии в различных положениях образца относительно оптической системы интерференционных картин, при этом в процессе анализа производят попиксельное вычитание полученных изображений друг из друга по параметрам RGB с формированием результирующего массива значений, из данного массива определяют количество пикселей со значениями RGB (0,0.0), вычисляют отношение k этого количества N0 к общему числу пикселей получаемого изображения N, где k=1 характеризует однородность идеального кристалла. Технический результат заключается в повышении точности измерения однородности оптических элементов, выявлении дефектных областей с незначительными отклонениями показателей преломления. 5 ил.
Изобретение относится к области дифракционной оптики и может быть использовано для разработки новых дифракционных оптических элементов для диапазона 0,35-5,5 мкм. В основу изобретения поставлена задача получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита методом анизотропного химического травления. Пластина, вырезанная из кристалла парателлурита и отшлифованная, покрывается смесью химически стойкого к щелочам нитроцеллюлозного лака с растворителем 646, часть смеси удаляется с помощью алмазной иглы через различные интервалы, затем проводится химическое травление, промывка, в результате получаем периодическую структуру заданной геометрии на поверхности образца. Применение данного способа позволяет получать периодические профили на кристаллах парателлурита, обладающих высокими оптическими характеристиками. 3 ил.
Изобретение относится к области методов выявления структурных дефектов кристаллов и может быть использовано для исследования дислокационной структуры и контроля качества кристаллов германия. Способ определения плотности дислокаций в монокристаллах германия методом профилометрии включает исследование поверхности образца кристалла германия, обработанного в селективном травителе, и наблюдение фигур травления с помощью интерференционного профилометра. Причем при сканировании и получении 3D профиля поверхности данные области подвергаются профилометрическому анализу, а при получении локальных 2D профилей производится оценка и подсчет минимумов, которые являются дном ямок травления в местах выхода дислокаций и на основе профилей 3D и 2D делается вывод об отнесении/не отнесении ямок к дислокационным ямкам. Техническим результатом является повышение точности и информативности подсчета плотности дислокаций. 4 ил.
Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой способ получения изображений в растровой электронной микроскопии. Суть изобретения состоит в сегментации магнитного контраста микрообъектов путем исключения из полного РЭМ-изображения во вторичных электронах вклада, обусловленного топографическим контрастом. При реализации способа в заданной плоскости интереса вблизи исследуемого объекта располагают зеркально гладкую (безрельефную) тонколистовую индикаторную пластину из токопроводящего немагнитного материала, имеющую электрический контакт с корпусом растрового электронного микроскопа (РЭМ), и по ее РЭМ-изображению судят о пространственном распределении поля источника. Техническим результатом является расширение возможностей растровой электронной микроскопии - визуализации статических пространственных микрораспределений магнитного поля, создаваемого вблизи поверхности магнитных материалов с доменной структурой, миниатюрных постоянных магнитов и магнитных элементов микроэлектромеханических систем (МЭМС). 2 ил.
СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ НА РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ // 2557179
Заявленный способ относится к области научных и технических исследований микро- и наноструктуры диэлектрических органических и неорганических объектов методами растровой электронной микроскопии. Способ подготовки диэлектрического образца для исследования на растровом электронном микроскопе его микро- и наноструктуры включает нанесение токопроводящего покрытия на поверхность образца и обеспечение электрического контакта покрытия образца с токопроводящим предметным столиком. Токопроводящее покрытие наносят смачиванием поверхности образца раствором гидрофильной неиспаряемой негорючей нетоксичной токопроводящей ионной жидкости в виде тетрахлорферрат N-децилпиридиния в ацетоне и последующим высушиванием образца на воздухе до полного удаления летучего компонента. Обеспечивается предотвращение накопления электрических зарядов на поверхности диэлектрических образцов. 2 ил.
