Патенты автора Сорокин Николай Иванович (RU)
Изобретение относится к медицине, а именно к оперативной урологии. Операцию выполняют с использованием гольмиевого лазерного волокна путем рассечения слизистой простатического отдела уретры и ткани простаты от апикальной зоны до шейки мочевого пузыря в проксимальном направлении по передней полуокружности до хирургической капсулы в направлении 13 и 23 часов условного циферблата. Сохраняют площадку треугольной формы, включающую слизистую и подлежащие ткани простатического отдела уретры по передней полуокружности заднего отдела уретры с основанием условного треугольника на шейке мочевого пузыря и вершиной у поперечных волокон наружного сфинктера. Способ позволяет максимально сохранить целостность сфинктера уретры в передней области, тем самым устранить хирургический риск развития стрессового недержания мочи в послеоперационном периоде, а также создать оптимальный хирургический доступ к гиперплазированным узлам простаты и их последующую энуклеацию. 2 пр.
Изобретение относится к медицине, а именно к урологии. Осуществляют неоднократное введение в просвет шейки мочевого пузыря катетера баллонного типа. Выполняют раздувание баллона, вызывающего мягкое щадящее механическое расширение рубцового кольца шейки мочевого пузыря с последующим фиброзированием участков надрыва. Процедура проводится без применения наркоза под контролем трансуретрального ультразвукового исследования. Способ обеспечивает эластическое растяжение фиброзного кольца, препятствуя избыточной его травматизации и предохраняя от агрессивного рубцевания шейки мочевого пузыря, а также значительно снижает риск возникновения осложнений различного характера, в частности кровотечений, стриктур уретры, инфекционно-воспалительных осложнений. 1 пр.
Изобретение относится к фтор-проводящим твердым электролитам (ФТЭЛ), которые используются в различных областях ионики твердого тела, электрохимии, сенсорных систем и низковольтной энергетики, а также к способу его получения. Фтор-проводящий композитный электролит получают кристаллизацией эвтектических составов в бинарных конденсированных системах MF2 - RF3 (M = щелочно-земельные элементы Са, Sr, Ва; R = редкоземельные элементы La, Се, Pr, Nd, Sm). Электролит содержит дифторид MF2 и трифторид RF3, которые взяты при следующем соотношении: RF3 57-70 мол.% и MF2 30-43 мол.% в соответствии с эвтектическими точками на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3, что обеспечивает их практическое использование при температурах 200-1450°С и получение стабильных величин фтор-ионной проводимости 6×10-4-2×10-3 Ом-1⋅см-1 при температуре 200°С. Изобретение обеспечивает более простой способ изготовления фторидных композитов. 2 н.п. ф-лы.
Изобретение относится к медицине, а именно к урологии. На начальном этапе энуклеации простаты выполняют разрез слизистой и ткани предстательной железы до капсулы простаты от шейки мочевого пузыря на протяжении 1 см по передней поверхности простатического отдела уретры в дистальном направлении. Затем рассечение продолжают двумя разрезами по левой и правой долям простаты в направлении точек 14 и 22 часов условного циферблата до дистальной части простаты. Способ позволяет максимально сохранить область наружного сфинктера уретры в передней дистальной поверхности, что позволяет снизить риск развития послеоперационного стрессового недержания мочи, а также оптимальность хирургического доступа к тканям гиперплазированной простаты и их последующей энуклеации за счет использования анатомических ориентиров при выполнении "Y"-образного разреза - шейка мочевого пузыря, середина уретры, левая и правая дистальные части долей простаты - на первом этапе плазменной трансуретральной энуклеации. 2 пр.
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1×10-5-7×10-5 Ом-1⋅см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости σ, превышающих 1×10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил.
Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
ФТОР-ПРОВОДЯЩИЙ ТВЕРДЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТ R1-yMyF3-y С ТИСОНИТОВОЙ СТРУКТУРОЙ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ // 2557549
Изобретение относится к фтор-проводящему твердому электролиту R1-yMyF3-y с тисонитовой структурой, содержащему фториды редкоземельного и щелочно-земельного металлов. Электролит характеризуется тем, что он имеет монокристаллическую форму и содержит трифторид RF3(R=La, Се, Pr, Nd) и дифторид MF2(М=Са, Sr, Ва), которые взяты при следующем соотношении: RF3 95-97 мол. % и MF2 3-5 мол. %, что обеспечивает достижение величины фтор-ионной проводимости до σ~5×10-4 Ом-1см-1 при 20°С. Также изобретение относится к способу получения электролита. Предлагаемый электролит не обладает пористостью, не имеет сниженной проводимости, присущей мелкокристаллическим порошкам, и имеет оптимизированный состав. 2 н.п. ф-лы, 6 пр., 1 ил.
