Патенты автора Толстолуцкая Анна Владимировна (RU)
Изобретение относится к области твердотельной СВЧ микроэлектроники и может быть использовано при создании транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем на подложках карбида кремния. Способ формирования сквозных металлизированных отверстий в подложке карбида кремния включает следующие операции. Монтирование на носителе гетероэпитаксиальной структуры, сформированной на подложке карбида кремния, с помощью фиксирующего материала. Утонение подложки карбида кремния с помощью применения любой комбинации технологических операций шлифовки и полировки до необходимой толщины. Формирование маски с пробельными окнами на поверхности обратной стороны подложки карбида кремния для выполнения плазмохимического травления сквозных отверстий в подложке карбида кремния. Удаление маски и металлизацию обратной стороны подложки карбида кремния. На поверхности обратной стороны подложки карбида кремния формируют многослойную маску, состоящую из пленки никеля, покрытой органическим резистивным материалом. Обеспечивается снижение трудоемкости и повышение качества проведения технологического процесса травления сквозных отверстий в подложке карбида кремния, повышение процента выхода годных изделий, обеспечение совместимости процесса со стандартной технологией изготовления монолитных интегральных схем для работы на сверхвысоких частотах, повышение технологичности, повторяемости и воспроизводимости процесса. 2 ил., 1 табл.
Трёхэлектродный полупроводниковый прибор // 2654352
Использование: для создания СВЧ и КВЧ монолитных интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что трехэлектродный полупроводниковый прибор содержит размещенные на нем два контакта Шоттки высокочастотного тракта и один управляющий электрод, образующий омический контакт и расположенный вне пространства между контактами в высокочастотном тракте, контакты Шоттки высокочастотного тракта выполнены в виде встречно-штыревой системы металлизации и сформированы к верхнему, активному, слою полупроводниковой структуры, а управляющий электрод формируется к высоколегированному слою полупроводниковой структуры, который располагается за активным слоем полупроводниковой структуры. Технический результат: обеспечение возможности повышения коэффициента передачи преобразователей частоты, снижения фазовых шумов генераторов и повышения избирательности электрически перестраиваемых фильтров СВЧ и КВЧ диапазонов. 2 ил.
МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СВЧ МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА НА МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ // 2560998
Изобретение относится к области микроэлектроники и радиотехники и может быть использовано при создании СВЧ монолитных интегральных схем на арсениде галлия. Технический результат - повышение степени интеграции МИС СВЧ, уменьшение массогабаритных размеров приемо-передающих модулей антенных решеток, снижение потерь, связанных с прохождением сигналов между схемами или функциональными блоками, повышение граничных частот диодов с барьером Шоттки. Многофункциональная СВЧ монолитная интегральная схема на многослойной полупроводниковой структуре сочетает функции нескольких отдельных монолитных интегральных схем и содержит в качестве активных и нелинейных элементов интегрированные на одном кристалле полевые транзисторы Шоттки и квазивертикальные диоды с барьером Шоттки с высокими значениями граничных частот. Активные области полевых транзисторов и базовые области квазивертикальных диодов находятся в разных эпитаксиальных слоях, с расположенным между ними низкоомным контактным слоем, к которому формируются омические истоковые и стоковые контакты транзисторов, и омические катодные контакты диодов. 1 ил.
