Патенты автора Шевцов Александр Владимирович (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и радиотехники и может быть использовано при создании СВЧ монолитных интегральных схем на арсениде галлия. Технический результат - повышение степени интеграции МИС СВЧ, уменьшение массогабаритных размеров приемо-передающих модулей антенных решеток, снижение потерь, связанных с прохождением сигналов между схемами или функциональными блоками, повышение граничных частот диодов с барьером Шоттки. Многофункциональная СВЧ монолитная интегральная схема на многослойной полупроводниковой структуре сочетает функции нескольких отдельных монолитных интегральных схем и содержит в качестве активных и нелинейных элементов интегрированные на одном кристалле полевые транзисторы Шоттки и квазивертикальные диоды с барьером Шоттки с высокими значениями граничных частот. Активные области полевых транзисторов и базовые области квазивертикальных диодов находятся в разных эпитаксиальных слоях, с расположенным между ними низкоомным контактным слоем, к которому формируются омические истоковые и стоковые контакты транзисторов, и омические катодные контакты диодов. 1 ил.

 


Наверх