Патенты автора Смоляков Дмитрий Александрович (RU)
Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет СРР геометрию, где в качестве подложки используют n-Si, в качестве диэлектрика используют SiO2 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на SiO2 и нижнюю часть полупроводника n-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании СРР геометрии. 4 ил.
