Патенты автора Плотникова Александра Юрьевна (RU)
ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО // 2602780
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в отказоустойчивых, радиационно-стойких программируемых логических интегральных схемах (ПЛИС) для вычисления логических функций. Техническим результатом является повышение отказоустойчивости. Устройство содержит группу n инверторов переменных, n групп, n - число входных переменных, основных передающих транзисторов по 2i, i=1, n транзисторов в группе, группу 2n инверторов настройки, выходной инвертор, 2n+1-1 подгрупп дополнительных передающих транзисторов для каждого основного четного и нечетного транзистора n групп передающих транзисторов, состоящих из трех транзисторов. В каждый инвертор из группы 2n инверторов настройки, группы n инверторов переменных, выходной инвертор введены три дополнительных транзистора n-МОП и три дополнительных транзистора p-МОП. 5 ил., 3 табл.
ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО // 2601145
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для вычисления логических функций в самосинхронных программируемых логических интегральных схемах. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности индицирования завершения переходного процесса для использования устройства в самосинхронных схемах с парафазными переменными и нулевым спейсером. Устройство содержит блок вычисления логической функции, блок вычисления двойственной логической функции, элемент ИЛИ-НЕ, 2n входов инверсной настройки, n входов инверсий переменных, инверсный информационный выход, выход индикации, причем в блоки вычисления логической функции и двойственной логической функции введены группа 2n транзисторов инверсной проводимости, дополнительный инвертор, вход подключения шины «Ноль вольт». 2 ил, 2 табл.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД // 2561779
Изобретение относится к полупроводниковым электронным приборам. В полупроводниковом диоде на полупроводниковой GaAs подложке расположены катодный слой, обедненный слой, барьерный слой, обедненный узкозонный слой, анодный узкозоный слой, анодный слой. Металлизированный катодный контакт с омическим сопротивлением сформирован к катодному слою. Металлизированный анодный контакт с омическим сопротивлением сформирован к анодному слою. На границе анодного слоя и анодного узкозонного слоя и на границе барьерного слоя и обедненного узкозонного слоя сформированы гетеропереходы. Технический результат - снижение обратного тока и увеличение пробивного напряжения диода. 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 табл.
