Патенты автора СОЕНО Акитака (JP)
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО // 2562934
В полупроводниковом устройстве диодная область и область БТИЗ сформированы на одной и той же полупроводниковой подложке. Диодная область включает в себя множество анодных слоев первого типа проводимости, открытых на поверхности полупроводниковой подложки и отделенных друг от друга. Область БТИЗ включает в себя множество контактных слоев тела первого типа проводимости, которые открыты на поверхности полупроводниковой подложки и отделены друг от друга. Анодный слой включает в себя по меньшей мере один или более первых анодных слоев. Первый анодный слой сформирован в положении вблизи по меньшей мере области БТИЗ, и площадь в направлении плоскости полупроводниковой подложки в каждом из первых анодных слоев больше, чем площадь в направлении плоскости полупроводниковой подложки в контактном слое тела в непосредственной близости от диодной области. В изобретении рост прямого напряжения в диодной области и увеличение тепловых потерь предотвращены. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
