Патенты автора Козловский Александр Валерьевич (RU)
Группа изобретений относится к производству из полимерных композиционных материалов (ПКМ) лопастей винтов летательных аппаратов. Лопасть воздушного винта летательного аппарата содержит соединенные друг с другом обшивку и вкладыш, выполненный из сферопластика, который включает полые полимерные микросферы, способные расширяться при нагреве, и термопластичное полимерное связующее. Лопасть может иметь безлонжеронную или интегральную конструкцию. Способ изготовления лопасти заключается в том, что изготавливают вкладыш из сферопластика, производят сборку пакета, включающего заготовки обшивки на вкладыше, помещают собранный пакет в формообразующую оснастку, фиксируют оснастку в собранном виде и осуществляют термообработку пакета. Для изготовления вкладыша используют сферопластик, включающий полые полимерные микросферы, способные расширяться при нагреве, и термопластичное полимерное связующее. Термообработку осуществляют при температуре, достаточной для возникновения давления термокомпрессии за счет расширения микросфер с обеспечением формования лопасти. Группа изобретений направлена на упрощение технологии изготовления лопасти и используемого оборудования. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИОСЕНСОРНОЙ СТРУКТУРЫ // 2644979
Изобретение относится к технологии изготовления сенсорных структур на основе твердотельного полупроводника и функционального органического покрытия и может быть использовано при создании ферментных биосенсоров на основе полевых транзисторов или структур «электролит-диэлектрик-полупроводник». Способ изготовления биосенсорной структуры включает модификацию полупроводникового электрохимического преобразователя для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, а также послойную адсорбцию слоя поликатионных молекул полимера и слоя полианионных молекул фермента из их водного раствора. При этом используют пластину монокристаллического кремния с электронным типом проводимости, а его модификацию производят путем кипячения полупроводниковой пластины в перекисно-аммиачном растворе NH4OH/H2O2/H2O=1/1/4, а в процессе адсорбции молекул фермента, либо предварительно непосредственно перед процессом адсорбции, на поверхность структуры «n-Si/SiO2/полиэтиленимин» осуществляют освещение структуры со стороны раствора с интенсивностью, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции. Техническим результатом изобретения является увеличение чувствительности к аналиту из-за увеличения количества молекул в монослое фермента на модифицированной поверхности полупроводникового преобразователя. 2 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл.
Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности поверхностных электронных состояний и увеличение эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда на границах раздела «органический слой - диэлектрик» и «диэлектрик - полупроводник». 5 ил., 6 табл., 3 пр.
