Патенты автора МАРКВАРДТ Райнер (DE)

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для формирования преобразователя. Техническим результатом является уменьшение потерь мощности при коммутации за счет генерирования отрицательных напряжения для двухполярного тока. В модульном многоточечном вентильном преобразователе для высоких напряжений подмодуль (1) содержит первый подблок (2), который содержит первый накопитель (21) энергии, включенное параллельно первому накопителю энергии первое последовательное соединение двух силовых полупроводниковых переключающих блоков (22, 23), каждый из которых содержит подключаемый и отключаемый силовой полупроводниковый прибор с одинаковым направлением пропускания и каждый из которых является проводящим против упомянутого направления пропускания, и первую соединительную клемму (Х2), которая соединена с потенциальной точкой между силовыми полупроводниковыми переключающими блоками первого последовательного соединения. Кроме того, подмодуль (1) содержит второй подблок (3), который содержит второй накопитель (31) энергии, включенное параллельно второму накопителю энергии второе последовательное соединение двух силовых полупроводниковых переключающих блоков (32, 33), каждый из которых имеет подключаемый и отключаемый силовой полупроводниковый прибор с одинаковым направлением пропускания и каждый из которых является проводящим против упомянутого направления пропускания, и вторую соединительную клемму (Х1), которая соединена с потенциальной точкой между силовыми полупроводниковыми переключающими блоками второго последовательного соединения. Первый подблок (2) и второй подблок (3) соединены друг с другом с помощью соединительных средств (4). При этом соединительные средства (4) содержат эмиттерную соединительную ветвь (41), которая соединяет эмиттер первого силового полупроводникового переключающего блока первого последовательного соединения с эмиттером первого силового полупроводникового переключающего блока второго последовательного соединения, коллекторную соединительную ветвь (42), которая соединяет коллектор второго силового полупроводникового переключающего блока первого последовательного соединения с коллектором второго силового полупроводникового переключающего блока второго последовательного соединения, и переключающую ветвь (43), в которой расположен переключающий блок (44) и которая соединяет эмиттерную соединительную ветвь с коллекторной соединительной ветвью. Изобретение отличается тем, что в эмиттерной соединительной ветви (41) или в коллекторной соединительной ветви (42) расположен по меньшей мере один силовой полупроводниковый переключающий блок (45, 46). 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области электротехники. Для того чтобы предоставить субмодуль (7) для образования инвертора (1) для области высоких напряжений с первым субблоком (5), который содержит первый накопитель (18) энергии, включенное параллельно первому накопителю (18) энергии первое последовательное соединение (11) двух мощных полупроводниковых переключающих блоков (12, 13), которые содержат, соответственно, подключаемый и отключаемый мощный полупроводник (14, 15) с одинаковым направлением пропускания и, соответственно, являются проводящими обратно упомянутому направлению пропускания, и первую соединительную клемму (х2), которая соединена с точкой потенциала между мощными полупроводниковыми переключающими блоками (12, 13) первого последовательного соединения, и вторым субблоком, который содержит второй накопитель (26) энергии, включенное параллельно второму накопителю (26) энергии второе последовательное соединение (19) двух мощных полупроводниковых переключающих блоков (20, 21), которые содержат, соответственно, подключаемый и отключаемый мощный полупроводник (22, 23) с одинаковым направлением пропускания и, соответственно, являются проводящими обратно упомянутому направлению пропускания, и вторую соединительную клемму (х1), которая соединена с точкой потенциала между мощными полупроводниковыми переключающими блоками (20, 21) второго последовательного соединения (19), который быстро, надежно и эффективно ограничивает возникающие при неисправности токи короткого замыкания, предложено, что первый субблок и второй субблок (10) соединены между собой средствами (27) соединения, которые выполнены таким образом, что в выбранном состоянии переключения всех мощных полупроводниковых переключающих блоков (12, 13, 20, 21) протекание тока между первой соединительной клеммой (х2) и второй соединительной клеммой (х1) в обоих направлениях осуществляется только через первый накопитель (18) энергии и/или второй накопитель (26) энергии. Технический результат - повышение надёжности защиты от коротких замыканий. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

 


Наверх