Патенты автора ТАО Хунци (CN)
Изобретение относится к созданию контура усилителя с перекрестной разводкой сигналов постоянного тока и СВЧ-сигналов. Технический результат заключается в обеспечении согласования выходного полного сопротивления микросхемы мощности с широкополосной сетью. Контур включает в себя разветвленный подконтур, образованный из контура питания постоянного тока и контура мощного СВЧ-сигнала. Контур питания постоянного тока начинается с порта (211) электропитания стока транзистора с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) и соединен с питающим выходом транзисторного канала (250) ТВПЭ нижнего уровня, используя соответствующую линию после параллельного подключения к первому конденсатору (221) типа металл-диэлектрик-металл (МДМ) и последовательного соединения с первой микрополосковой катушкой (222) индуктивности и симметричными микрополосковыми линиями (223) ответвления. Контур мощного СВЧ-сигнала начинается с сигнального выхода транзисторного канала (250) ТВПЭ нижнего уровня, объединяет в две линии соответствующие линии, причем эти две линии соответственно параллельно соединены с двумя третьими МДМ конденсаторами (241, 242), соответственно последовательно соединены со вторым электродом вторых МДМ конденсаторов (231, 234), соответственно параллельно соединены с заземляющими микрополосковыми катушками (232, 235) индуктивности и соответственно последовательно соединены со вторыми микрополосковыми катушками (233, 236) индуктивности. 5 з.п. ф-лы 4 ил.
Изобретение относится к созданию контура усилителя с перекрестной разводкой сигналов постоянного тока и СВЧ-сигналов. Технический результат заключается в обеспечении высокого коэффициента полного сопротивления микросхемы электропитания. Контур включает в себя: два подконтура (201, 202), расположенных зеркально по отношению друг к другу, и третий конденсатор (2101), соединенный с выходом параллельно. Контур питания постоянного тока и контур СВЧ-сигнала. Соответствующие катушки (211, 212) индуктивности контура СВЧ-сигнала последовательно соединены с соответствующим конденсатором (251, 252). Контур обладает низкой чувствительностью и симметричной структурой. Благодаря отсутствию чрезвычайно прерывающейся области электромагнитного поля могут быть повышены плотность компоновки и степень использования площади микросхемы. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
