Патенты автора Гапанович Михаил Вячеславович (RU)
Изобретение относится к технологии создания гибких тонкопленочных солнечных батарей. Оно может найти применение при создании солнечных батарей с гетеропереходом CZTS(Se)/CdS. Более конкретно изобретение относится к низкотемпературному синтезу тонких пленок CZTS(Se), применяемых в качестве поглощающих слоев таких устройств. Синтез пленок кестерита включает 2 этапа: напыление прекурсоров (Cu2-δSnSe3 и ZnSe) и йодида калия, а также отжиг полученной пленки в инертной атмосфере. При этом мольное соотношение Cu2-δSnSe3:ZnSe:KI равно 1:1:2, а температура отжига Т=400°С. Данная методика может быть полезной при создании гибких тонкопленочных солнечных батарей с поглощающим слоем Cu1,7ZnSnSe4. 1 пр., 4 ил.
Изобретение относится к технологии создания экологически чистых солнечных батарей. Изобретение может найти применение при создании мембранных солнечных батарей с гетеропереходом CZT(S,Se)/CdS. Более конкретно изобретение относится к созданию монозеренных кестеритных порошков Cu2-δZn2-xSnx(S1-уSeу)4. В заявляемом изобретении раскрывается методика синтеза таких порошков. Для иллюстрации описан синтез образов состава Cu1.85ZnSnSe4. Синтез состоит из нескольких этапов. На первом этапе методом прямого синтеза в вакуумированных кварцевых ампулах получают Cu2-δSnX3 (X=S, Se) из элементных Cu, Sn и X в несколько этапов. ZnS получают методом осаждения сероводородом и солей цинка с последующим отжигом. ZnSe получают по схеме ZnS+2ZnO+3Se=3ZnSe+SO2. На втором этапе требуемое количество прекурсоров растирается вместе с KI, при этом мольное отношение синтезируемого кестерита к данному флюсу должно быть 1:(5÷10). Полученные таким образом прекурсорные смеси отжигаются в вакуумированных кварцевых ампулах при T=740°С в течение t>50 ч. После данного этапа содержимое ампул промывается деионизированной водой, высушивается под вакуум и разделяется при помощи набора сит с различным диаметром отверстий. Данная методика может быть полезной при создании высокоэффективных экологически чистых солнечных батарей нового поколения. 4 ил.
Изобретение относится к технологии создания гибких тонкопленочных солнечных батарей и может найти применение при создании солнечных батарей с гетеропереходом CdTe/CdS. Способ низкотемпературной активации пленок теллурида кадмия включает два этапа: на первом этапе на пленку теллурида кадмия напыляют активаторы, а на втором проводят ее отжиг. Согласно изобретению в качестве активаторов используют CdCl2 и CdI2, которые последовательно напыляют на пленку теллурида кадмия, а отжиг осуществляют при температуре 305°С. Это позволяет снизить температуру, при которой в пленке проходят процессы, приводящие к достижению оптимального соотношения в ней доноров и акцепторов, благодаря чему фотопроводимость образцов находится на том же уровне, что и при «классической» активации. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.
Изобретение может быть использовано при создании тонкопленочных солнечных батарей. Для получения монозеренных кестеритных порошков используют прекурсорные смеси, состоящие из Cu2Se, CuSe, ZnS и SnSe2. Указанные халькогениды берут в требуемых количествах, растирают с CsI в агатовой ступке и запаивают в кварцевых ампулах в вакууме при мольном соотношении синтезируемого кестерита к CsI более чем 1:5. Ампулы выдерживают при 740-750°С в течение 100 ч, после чего вскрывают. Содержимое ампул промывают деионизированной водой для удаления CsI и высушивают под вакуумом. Выделяют монозеренную фракцию с использованием сит. Изобретение позволяет получить монозеренные кестеритные порошки состава Cu1,5Zn1,1Sn0,9Se2,9S1,1 для создания высокоэффективных экологически чистых солнечных батарей. 5 ил., 1 пр.
Способ металлизации полиимидной пленки // 2673294
Изобретение относится к технологии создания тонкопленочных экологически чистых солнечных батарей и может найти применение при создании гибких солнечных батарей на основе CdTe, CIGS или CZTS(Se). Полиимидную пленку предварительно отжигают в вакууме при Т=300-350°С, затем на первом этапе осаждают молибденовый слой при давлении p1>6×10-3 мм рт.ст., а на втором - при p2=(2÷6)×10-3 мм рт.ст. Cлои наносят в соотношении d1 ≥ d2, где d1 - толщина первого слоя, d2 - толщина второго слоя. Изобретение позволяет получать покрытия, устойчивые в жидкой среде, с приемлемой адгезией и удельным сопротивлением на полиимидных подложках. 7 ил.
Изобретение относится к технологии создания фоточувствительных халькопиритных пленок, которые могут найти применение при создании солнечных батарей. Способ получения фоточувствительных халькопиритных пленок включает два этапа, на первом получают прекурсорную пленку, а на втором проводят ее отжиг. В качестве прекурсоров используют интерметаллиды Cu2In, CuGa2 и металлический индий. Изобретение обеспечивает получение однородных пленок с хорошей адгезией. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.
