Патенты автора Немогай Ирина Куртовна (RU)
Способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов // 2744158
Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих материалов на СВЧ. Способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов включает заполнение волноводной секции исследуемым материалом, зондирование электромагнитной волной, измерение комплексных коэффициентов отражения и передачи и обработку результатов измерения. Исследуемый материал выполняют в виде параллелепипеда с боковым ребром длинной а, определяемой из соотношения где ε - диэлектрическая проницаемость материала, μ - магнитная проницаемость материала, электрическая длина Lλ секции волновода с материалом не более λ/4. При этом дополнительно выполняют электродинамическое моделирование волновода с параметризованными частотно зависимыми значениями ε', ε'', μ', μ'' материала, при котором оптимизируют результаты в полосе частот, и сравнивают измеренные и расчетные коэффициенты отражения и передачи. Технический результат - повышение точности и оперативности измерений комплексных диэлектрической и магнитной проницаемости поглощающих материалов в широкой полосе частот. 1 пр., 2 ил.
КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА СВЧ // 2579544
Использование: для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для полупроводникового прибора СВЧ содержит высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере одну металлическую контактную площадку на упомянутой поверхности высокотепло- и электропроводного основания для расположения и последующего соединения с ним по меньшей мере одного кристалла полупроводникового прибора, по меньшей мере два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят внутрь, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу корпуса, при этом высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы соединены пайкой, высокотепло- и электропроводное основание выполнено из композиционного материала, при этом по меньшей мере из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического и электропроводного при их соотношении, мас.%, (90-70):(10-30) соответственно, термические коэффициенты линейного расширения которых обеспечивают согласование с термическим коэффициентом линейного расширения кристалла полупроводникового прибора. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения массогабаритных характеристик, повышения технологичности и снижения трудоемкости изготовления при сохранении надежности, долговечности, выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.,1 ил.
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат - повышение точности получения значения величины температурного коэффициента частоты диэлектрического резонатора СВЧ. Для этого способ осуществляет приготовление шихты заданного керамического диэлектрического материала, формирование из шихты заготовки диэлектрического резонатора посредством прессования, спекание и последующее шлифование до заданных размеров диэлектрического резонатора по высоте и по боковой стороне, при этом шихту керамического диэлектрического материала приготавливают двух составов, соответствующих двум различным заданным значениям температурного коэффициента частоты, прессование заготовки диэлектрического резонатора осуществляют из двух отдельных, последовательно расположенных слоев керамического диэлектрического материала, а шлифование спеченной заготовки диэлектрического резонатора по ее высоте осуществляют в два этапа. 1 табл., 1 ил.
