Патенты автора Трегулов Вадим Викторович (RU)
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур с p-n-переходом и может быть использовано для изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечной энергии. Предложен способ изготовления полупроводниковой структуры, содержащей p-n-переход под пленкой пористого кремния для реализации фотоэлектрического преобразователя. Согласно изобретению предлагается выращивать пленку пористого кремния, содержащую в своем объеме примесь диффузанта - фосфора, на поверхности монокристаллической кремниевой подложки p-типа электрохимическим анодным травлением в электролите, состоящем из плавиковой кислоты (HF), этанола (С2Н5ОН) и ортофосфорной кислоты (Н3РО4), после чего проводится термическая диффузия фосфора из пленки пористого кремния с примесью фосфора в монокристаллическую кремниевую подложку. Технический результат состоит в создании способа изготовления полупроводниковой структуры с p-n-переходом под пленкой пористого кремния, которая играет роль антиотражающего покрытия, способствуя увеличению эффективности преобразования ФЭП, также минимизируется число технологических операций, снижается трудоемкость и повышается производительность процесса изготовления ФЭП, что важно в условиях массового производства. 3 ил.
Изобретение относится к области изготовления наноструктурных материалов и может быть использовано в оптоэлектронике для производства светоизлучающих индикаторов. Способ получения пористого кремния со стабильной фотолюминесценцией согласно изобретению осуществляют путем анодного электрохимического травления монокристаллической кремниевой подложки в электролите, состоящем из плавиковой кислоты, этанола и водного раствора перманганата калия при освещении подложки и в темноте. Изобретение позволяет получить пленки пористого кремния, обладающие стабильными спектрами фотолюминесценции при длительном хранении в естественных условиях.
