Патенты автора АНДРЕЕВ Андрей Юрьевич (RU)
Группа изобретений относится к медицине, а именно к офтальмологии. Предложена коллагеновая мембрана для восстановления роговицы, представляющая собой коллагеновый гидрогель, содержащий нативный коллаген I типа, где содержание нативного коллагена I типа составляет от 5 до 20 мас.% от совокупной массы коллагенового гидрогеля, и где указанная искусственная роговица характеризуется максимальной нагрузкой на разрыв более 20 Н. Коллагеновая мембрана для восстановления роговицы по изобретению является биосовместимой, неиммуногенной, оптически прозрачной и прочной, изготовлена из высокоочищенного биоматериала без применения химической модификации, и подходит для имплантации в организм человека с целью улучшения и/или восстановления анатомических и функциональных характеристик роговицы глаза. 4 н. и 20 з.п. ф-лы, 3 ил., 6 пр., 3 табл.
Изобретение относится к медицине, а именно к офтальмологии. Предложена искусственная роговица, представляющая собой коллагеновую мембрану гетерогенной плотности, подходящую для имплантации в организм человека с целью усиления биомеханических характеристик роговицы человека без потери ее прозрачности; усиления биомеханических характеристик бельм роговицы с целью их подготовки к кератопротезированию; для лечения методом DALK несквозных бельм роговицы, при которых не повреждена десцеметова мембрана и сохранены эндотелиальные клетки, находящиеся на ней; для создания тканеинженерной конструкции аналога роговицы путем формирования слоя эпителиальных клеток роговицы человека на одной из поверхностей мембраны и формирования слоя эндотелиальных клеток роговицы человека на противоположной стороне мембраны. 6 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил., 7 пр., 4 табл.
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов методом газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений, в частности к технологии выращивания гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода с активным слоем из арсенида галлия, фоточувствительного в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне. В способе изготовления гетероструктуры для полупроводникового полупрозрачного фотокатода из арсенида галлия методом МОС-гидридной эпитаксии, при котором стопорный слой и активная область выращиваются при температурах 600-640°C, в структуру введен переходной слой переменного состава от p-GaAs до p-AlyGa1-yAs. При его выращивании повышают температуру до 700-760°С. На нем выращивают буферный слой при температурах 700-760°C. Скорость выращивания слоев выбрана в диапазоне от 0,1 до 3 мкм/час. Поток металлорганического соединения цинка выбирают так, чтобы обеспечить требуемую концентрацию акцепторной примеси в выращиваемых слоях. С использованием данного способа получены фотокатоды с повышенной минимум на 10% квантовой эффективностью. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области электровакуумной техники, в частности к полупроводниковым оптоэлектронным устройствам - фотокатодам, а именно к гетероструктуре для полупрозрачного фотокатода с активным слоем из арсенида галлия, фоточувствительного в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне, и может быть использовано при изготовлении фоточувствительного элемента оптоэлектронных устройств: электронно-оптических преобразователей фотоумножителей, используемых в детекторах излучений. Гетероструктура для полупрозрачного фотокатода содерит подложку GaAs, далее первый слой AlGaAs, активный слой GaAs р-типа проводимости, второй слой из AlGaAs р-типа проводимости, при этом первый слой AlGaAs является стопорным состава AlxGa1-xAs р-типа проводимости с концентрацией Р1 акцепторной примеси, активный слой GaAs имеет концентрацию Р2 акцепторной примеси, второй слой AlGaAs является буферным состава AlyGa1-yAs с концентрацией Р3 акцепторной примеси, между активным и буферным слоями имеется переходный слой р-типа проводимости переменного состава от GaAs до AlyGa1-yAs, причем изменение содержания алюминия, начиная от границы с активным слоем до границы с буферным слоем, является монотонно возрастающей и непрерывной функцией F1 от толщины переходного слоя, а концентрация акцепторной примеси является монотонно убывающей непрерывной функцией F3 от толщины переходного слоя, начиная от концентрации Р2 у границы с активным слоем до концентрации Р3 у границы с буферным слоем. Изобретение позволяет увеличить квантовую эффективность и интегральную чувствительность фотокатода. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
