Патенты автора ФОН КЕНЕЛЬ Ханс (CH)

Изобретение относится к структурам и способам изготовления стопок активных слоев полупроводниковых материалов. Изобретение обеспечивает получение стопок активных слоев полупроводниковых материалов с согласованными параметрами кристаллических решеток, рассогласованными параметрами кристаллических решеток и рассогласованными коэффициентами термического расширения с низкой плотностью винтовых дислокаций, отсутствием растрескивания слоев и минимизированным прогибом подложки с использованием эпитаксиального наращивания на приподнятых участках подложки в безмасковом процессе. Структура содержит паттернированную кристаллическую полупроводниковую основу с приподнятыми областями, ограниченными бороздками, глубина которых по меньшей мере равна их ширине, и эпитаксиальный полупроводниковый материал, осажденный на приподнятых областях основы в форме изолированных пятен, причем основа изготовлена из первого кристаллического полупроводникового материала, а эпитаксиальный полупроводниковый материал содержит по меньшей мере один второй кристаллический полупроводниковый материал, обладающий рассогласованием кристаллической решетки или рассогласованием коэффициента термического расширения относительно основы, а скорость вертикального роста эпитаксиально наращиваемого материала значительно выше, чем скорость латерального роста. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 41 ил.

 


Наверх