Патенты автора Ременный Максим Анатольевич (RU)

Изобретение относится к фотонике, а именно к методам и устройствам для анализа химического состава вещества (воздуха, жидкостей и твердых тел). Датчик химического состава вещества содержит по меньшей мере одну первую полупроводниковую структуру (1) с р-n переходом (2) и по меньшей мере одну вторую полупроводниковую структуру (3) с р-n переходом (4), оптически связанные и пространственно разнесенные на прозрачной в рабочем диапазоне длин волн подложке (5), чувствительную область (6) для размещения исследуемого вещества, расположенную с тыльной стороны подложки (5), и электрические контакты (8), (9) и (10), сформированные соответственно на р-слое и на n-слое соответственно первой (1) и второй (3) полупроводниковой структуры. Первая полупроводниковая структура (1) выполнена в виде источника оптического излучения, а вторая полупроводниковая структура (3) выполнена в виде фотоприемника. Полупроводниковые структуры (1), (3) закреплены на подложке (5) адгезивом (15), прозрачным в рабочем диапазоне длин волн. Датчик химического состава вещества работает в широком диапазоне длин, что обеспечивает расширение областей его применения. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов, предназначенных для детектирования инфракрасного (ИК) излучения при комнатной или иной рабочей температуре. Способ изготовления фотодиодов (ФД) средневолнового ИК-диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои р- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление, по крайней мере, части фоточувствительного материала, подложки и эпитаксиальной структуры при формировании мез(ы), подготовку поверхности для формирования омических контактов, напыление на поверхность слоев и/или подложки металлических композиций заданной геометрии. Способ включает также финальную стадию процесса удаления подложки или ее части при химическом травлении в водном растворе соляной кислоты после монтажа гетероструктуры на контактную плату. Изобретение обеспечивает возможность получения многоэлементных ФД, например, двумерных матриц ФД, одновременно с широким спектром фоточувствительности и оптически и электрически развязанными элементами. 11 ил, 1 пр.

ПИРОМЕТР // 2726901
Изобретение относится к области измерительной техники и касается пирометра. Пирометр включает в себя по крайней мере два полупроводниковых инфракрасных фотоприемника с возрастающей по ходу входящих лучей граничной длиной волны фоточувствительности, расположенную по ходу входящих лучей оптическую кювету, заполненную газом или газовой смесью, поглощающей часть излучения в рабочем диапазоне длин волн, оптическую систему, обеспечивающую концентрацию излучения от измеряемого объекта по крайней мере на один из фотоприемников, и электронные блоки, обеспечивающие усиление, аналого-цифровое преобразование и обработку электрических сигналов, расчеты, передачу и визуализацию данных. Оптическая кювета выполнена в виде защитного герметичного корпуса оптической системы. Технический результат заключается в уменьшении габаритов пирометра. 2 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного ИК излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов для средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание полупроводниковых слоев, по крайней мере один из которых поглощает/излучает кванты с энергией 0.2-0.6 эВ, проведение фотолитографии и напыление на полупроводниковые слои n- и р-типа последовательности металлических контактных слоев заданной геометрии, по крайней мере один из которых содержит благородный металл и примеси и по крайней мере один из которых содержит никель и примеси, вжигание контактных слоев при температуре 310-400о С. При этом упомянутое напыление на слой р-типа проводимости начинают с напыления сплава, содержащего серебро (80-97) масс.% и марганец (3-20) масс.%, затем последовательно проводят напыление слоя, содержащего никель и примеси, и слоя золота с примесями. 7 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл.

Фотодиод для средневолнового инфракрасного излучения содержит подложку и полупроводниковые слои р- и n-типа проводимости, по крайней мере один из которых выполнен из твердого раствора, содержащего атомы индия, мышьяка, сурьмы, фосфора и примесей, с концентрацией носителей заряда в диапазоне от 1016 до 1018 см-3, слой, примыкающий к вышеупомянутому слою из твердого раствора, выполнен из полупроводника типа A3B5 с противоположным слою из твердого раствора типом проводимости и шириной запрещенной зоны, соразмерной с энергией фотонов вблизи низкоэнергетического края фоточувствительности фотодиода, при этом концентрация носителей заряда на границе слоев р- и n-типа проводимости изменяется плавно в направлении, перпендикулярном вышеупомянутой границе. Фотодиод согласно изобретению обеспечивает фоточувствительность к излучению в средней инфракрасной области спектра и малую барьерную емкость, что важно для регистрации быстропротекающих процессов. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 3 пр., 7 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление по крайней мере части фоточувствительного материала, подложки и эпитаксиальной структуры при формировании мез(ы), подготовку поверхности для формирования омических контактов, напыление на поверхность слоев и/или подложки металлических композиций заданной геометрии, при этом согласно изобретению способ включает финальную стадию процесса удаления подложки или ее части при химическом травлении в водном растворе соляной кислоты. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности работы диода средневолнового ИК диапазона спектра за счет улучшения условий для вывода/ввода излучения из полупроводникового кристалла. 9 ил., 4 пр.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения. Многоканальный инфракрасный фотоприемный модуль содержит дискретные полупроводниковые фотоприемники (1, 2) с возрастающей по ходу входящих лучей граничной длиной волны фоточувствительности (λ2>λ1) причем пространство между двумя фотоприемниками заполнено оптическим клеем (3) на основе стекла, прозрачного для рабочего диапазона длин волн второго по ходу лучей фотоприемника (2). Модуль обеспечивает фоточувствительность к излучению в средней инфракрасной области спектра.3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронным измерительным устройствам и может быть использовано для бесконтактного измерения температуры объекта по его излучению. Устройство включает фокусирующую оптическую систему (2), фотодетектор (1), совмещенный с изображением измеряемой области (4) объекта (5), по меньшей мере три полупроводниковых излучателя (3) видимого диапазона спектра, расположенных вокруг оптической оси фокусирующей оптической системы (2). Полупроводниковые излучатели (3) видимого диапазона спектра излучения расположены по границе изображения измеряемой области (4) объекта (5). Технический результат - повышение точности и воспроизводимости результатов измерений температуры объекта радиационными методами за счет точного воспроизведения (визуализации) контура измеряемой области на поверхности объекта. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

ФОТОМЕТР // 2610073
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и может быть использовано, в частности, для дистанционного измерения температуры объектов методами пирометрии. Технический результат - повышение точности и надежности. Для этого фотометр содержит по крайней мере два фотодиода, блоки усиления, регистрации и обработки сигналов фотодиодов, источник напряжения или тока, оптическую схему для концентрации потока излучения, коммутатор, обеспечивающий подключения одного или нескольких фотодиодов к источнику, а остальных фотодиодов к блокам усиления. При этом по крайней мере один из фотодиодов выполнен с активной областью на основе прямозонного полупроводника и оптически связан по крайней мере с одним из фотодиодов, чувствительных к излучению с энергией квантов, соразмерной со значением ширины запрещенной зоны прямозонного полупроводника. 9 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра согласно изобретению включает изготовление многослойной эпитаксиальной гетероструктуры, содержащей подложку из полупроводникового материала A3B5 и разделенные p-n переходом p- и n-области, по крайней мере, одна из которых выполнена из полупроводникового материала с суммарным содержанием атомов индия и мышьяка не менее 40% и является оптически активной в рабочем диапазоне длин волн, подготовку поверхности для формирования омических контактов, нанесение на поверхность фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявление, удаление, по крайней мере, части фоточувствительного материала, эпитаксиальной структуры и подложки, напыление в вакууме металлической композиции заданной геометрии, содержащей атомы Cr, Au, Ni и примеси, формирование, по крайней мере, одной меза-структуры, при этом процесс напыления металлической композиции начинают с напыления слоя Cr. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности работы диода за счет улучшения качества омических контактов. 19 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл., 10 пр.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре и может быть использовано, например, в устройствах, измеряющих характеристики сред, содержащих газообразные углеводороды, и в волоконно-оптических датчиках, измеряющих состав жидкости по методу исчезающей волны, для которых указанная полоса совпадает с максимумом фундаментального поглощения измеряемого компонента, например спирта или нефтепродуктов. Полупроводниковый диод для средневолнового инфракрасного диапазона спектра (1) содержит гетероструктуру с подложкой (2) и плоские эпитаксиальные p- и n-области (3, 4), p-n-переход (5), контакты (6, 7), мезу травления (10), при этом контакт (7) к неактивной области (8) расположен сбоку от активной области (9), а его поперечный размер выбирают исходя из максимального размера мезы, а минимальное расстояние между краями мезы и чипа выбирают исходя из размера чипа. Меза имеет расширение в направлении к световыводящей поверхности и имеет, как и контакты, прямоугольную форму с округлениями. Диод согласно изобретению обеспечивает повышенную яркость и фоточувствительность к излучению в средней инфракрасной области спектра. 16 з.п. ф-лы, 9 ил.

 


Наверх