Патенты автора САЙТО Дзюн (JP)
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) включает эмиттерную область, верхнюю область подложки, которая формируется ниже эмиттерной области, плавающую область, которая формируется ниже верхней области подложки, нижнюю область подложки, которая формируется ниже плавающей области, канал, изолирующую пленку затвора, которая покрывает внутреннюю поверхность канала, и электрод затвора, который расположен внутри канала. Когда распределение концентрации примесей p-типа в верхней области подложки и в плавающей области, которые расположены ниже эмиттерной области, оценивается по толщине полупроводниковой подложки, концентрация примесей p-типа снижается по мере увеличения расстояния сверху вниз от верхней границы верхней области подложки, расположенной ниже эмиттерной области, и имеет значение локального минимума на заданной глубине плавающей области. Изобретение обеспечивает возможность ограничить разброс напряжения в открытом состоянии и порогового напряжения на затворе различных биполярных транзисторов с изолированным затвором серийного производства. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 41 ил.
