Патенты автора Андреева Елена Борисовна (RU)
Изобретение относится к конструкциям и способам изготовления фотокатодов повышенной чувствительности, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Данные фотокатоды используются для фотоэлектронных приборов, применяемых в исследовательских целях, в промышленности, для специальных назначений и пр. Технический результат - увеличение внешнего квантового выхода фотокатода за счет снижения рекомбинации фотоэлектронов на границе раздела с подложкой. Фотокатод повышенной чувствительности состоит из подложки, фотоэмиссионного слоя и промежуточного слоя для увеличения потенциального барьера между подложкой и фотоэмиссионным слоем, отличается тем, что фотоэмиссионный слой выполнен из теллурида цезия - Cs2Te, а промежуточный слой для увеличения потенциального барьера между подложкой и фотоэмиссионным слоем выполнен на основе йодида цезия - CsI. Способ изготовления фотокатода повышенной чувствительности заключается в нанесении на подложку проводящего материала (Cr, Mo, W), нанесении на поверхность Те, обработке этой поверхности парами Cs для получения Сs2Те фотокатода, отличается тем, что между проводящим материалом и фотокатодом наносят слой щелочного металла и обрабатывают его парами йода I для получения промежуточного слоя йодистого цезия CsI, обеспечивающего создание потенциального барьера между подложкой и фотокатодом. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для крепления деталей внутри вакуумного корпуса, например, для крепления полупроводниковых структур фотокатодов на подложке к входному окну прибора. Технический результат - уменьшение дефектов, возникающих при сочленении, а так же расширение спектра используемых материалов. Способ крепления деталей внутри вакуумных приборов заключается в том, что на тыльную сторону со стороны подложки первой детали, представляющей собой полупроводниковую структуру, по периметру припоем индия или его сплавами наносят паттерн в виде отдельных зон, не образующий замкнутую кривую, при необходимости между отдельными зонами паттерна измеряют вольтамперную характеристику, затем зоны соединяют индием или его сплавами, чтобы увеличить площадь сочленения, оставляя как минимум один разрыв для последующей откачки газа в зазоре между сочленяемыми деталями, затем помещают структуру на предварительно облуженную в соответствующих местах вторую деталь, после чего детали сочленяют, сдавливая и нагревая в вакууме в горизонтальном положении до температуры 200-250°C, при этом используют оправки: центрователь и давитель. 3 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОКАТОДА // 2571187
Использование: для изготовления фотокатодов, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Сущность изобретения заключается в том, что на подложку наносят слой нещелочного металла, очувствляют его как минимум одним щелочным металлом, после этого, с целью увеличения квантового выхода, последовательно напыляют и очувствляют не менее 20 слоев нещелочного металла до прекращения роста максимума фототока при очувствлении. Технический результат: обеспечение возможности повышения квантового выхода и чувствительности фотокатода. 6 з.п. ф-лы.
