Патенты автора ТАКАХАСИ Мицухито (JP)
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА И ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ПОМОЩЬЮ ЭТОГО СПОСОБА СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2635834
Способ изготовления солнечного элемента включает в себя формирование с высокой производительностью просветляющей пленки, содержащей нитрид кремния, причем упомянутая просветляющая пленка обладает превосходным пассивирующим эффектом. В способе изготовления солнечного элемента согласно изобретению используется установка (100) усиленного непрямой плазмой химического осаждения из газовой фазы для формирования на полупроводниковой подложке (102) первой пленки нитрида кремния при перемещении полупроводниковой подложки (102) в камере (101) осаждения, с использованием потока плазмы от первой плазменной камеры (111), и дальнейшего формирования второй пленки нитрида кремния, которая имеет состав, отличный от упомянутой первой пленки нитрида кремния, с использованием потока плазмы от второй плазменной камеры (112), в которую были введены газообразный аммиак и газообразный силан при другом соотношении расходов, чем в первой плазменной камере (111). Установка (100) усиленного непрямой плазмой химического осаждения из газовой фазы снабжена камерой (101) осаждения; плазменными камерами (111, 112), имеющими участки (111а, 112а) возбуждения, которые возбуждают газообразный аммиак, и участки (111b, 112b) активации реакции, которые активируют возбужденный газообразный аммиак посредством введения туда газообразного силана; и регулятор (113) расхода, который регулирует соотношение расходов газообразного аммиака и газообразного силана для каждой из упомянутых плазменных камер (111, 112). Изобретение обеспечивает высокую производительность формирования просветляющей пленки и улучшенный просветляющий эффект. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.
Согласно изобретению предложен солнечный элемент, в котором эмиттерный слой со стороны светопринимающей поверхности подложки на основе кристаллического кремния, с легирующей примесью противоположного типа проводимости, образован из кремниевой подложки, добавленной к упомянутому эмиттерному слою, пассивирующая пленка образована на поверхности кремниевой подложки, а также образованы вытягивающий электрод и коллекторный электрод. Упомянутый вытягивающий электрод вытягивает фотогенерированный заряд из кремниевой подложки, а упомянутый коллекторный электрод контактирует с вытягивающим электродом, по меньшей мере частично, и накаплиавает заряд, собранный на вытягивающем электроде. Вытягивающий электрод содержит первый электрод, который состоит из спеченной проводящей пасты, содержащей легирующую примесь, которая делает кремний проводящим. Упомянутый первый электрод, по меньшей мере, сформирован таким образом, чтобы он проходил сквозь вышеупомянутый пассивирующий слой. Коллекторный электрод содержит второй электрод, который обладает более высокой проводимостью, чем вышеупомянутый первый электрод. Данное изобретение снижает потери на электросопротивление контакта между кремнием и электродами, потери на электросопротивление, вызванные электросопротивлением электрода, и оптические и электрические потери в эмиттерном слое, что, таким образом, значительно улучшает характеристики солнечного элемента. 4 н. и 16 з.п. ф-лы, 8 ил.
