Патенты автора ЛИ, Вэй-Минь (FI)
Изобретение относится к способу и устройству атомно-слоевого осаждения покрытия на поверхность подложки. Осуществляют последовательность атомно-слоевого осаждения, включающую по меньшей мере один цикл осаждения, причем в каждом цикле образуется монослой осажденного материала. Цикл осаждения включает доставку по меньшей мере частиц первого предшественника и частиц второго предшественника к поверхности подложки, находящейся в реакционной камере. Частицы первого предшественника и частицы второго предшественника одновременно присутствуют в реакционной камере в газовой фазе. Цикл осаждения включает период активации и период регенерации, при этом в течение периода активации частицы первого предшественника, адсорбированные на поверхности подложки в течение предшествующего периода регенерации, переходят в возбужденное состояние под действием энергии фотонов, вследствие чего адсорбированные частицы первого предшественника реагируют на поверхности с частицами второго предшественника, который находится в газовой фазе. А в течение последующего периода регенерации частицы первого предшественника, который находится в газовой фазе, реагируют с частицами второго предшественника, адсорбированными на поверхности в течение периода активации. Упомянутое устройство содержит реакционную камеру, по меньшей мере одну подающую линию и управляющую систему, предназначенную для управления устройством для выполнения последовательности атомно-слоевого осаждения. Управляющая система дополнительно предназначена для обеспечения одновременного присутствия паров, содержащих частицы первого предшественника и частицы второго предшественника, в газовой фазе в реакционной камере. Устройство содержит источник фотонов для возбуждения в течение периода активации под действием энергии фотонов частиц первого предшественника, адсорбированных на поверхности подложки в течение предшествующего периода регенерации. Обеспечивается более высокая скорость атомно-слоевого осаждения, более низкая температура обработки и упрощенное использование химических веществ. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 12 ил.
СПОСОБ ЗАГРУЗКИ ПОДЛОЖКИ В РЕАКТОР АСО // 2620230
Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном осуществлении самоограниченных поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения материала на партию подложек включает загрузку партии подложек в держатель подложек, находящийся в загрузочной камере реактора для нанесения материала, с формированием в держателе подложек вертикальной стопы горизонтально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна на другой, и разворот держателя подложек для получения горизонтальной стопы вертикально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна за другой, и опускание держателя подложек в реакционную камеру указанного реактора для нанесения материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций путем воздействия на партию подложек разделенными во времени импульсами подачи прекурсоров. Аппарат для осуществления упомянутого способа содержит механизм разворота, выполненный для разворота держателя подложек для получения горизонтальной стопы вертикально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна за другой, и подъемник, выполненный для опускания держателя подложек в реакционную камеру указанного реактора, для нанесения материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций путем воздействия на партию подложек разделенными во времени импульсами подачи прекурсоров. Обеспечивается система загрузки сверху реактора для нанесения материалов с вертикальным потоком газов, позволяющая загружать подложки, ориентированные горизонтально, а также устраняется необходимость в развороте каждой подложки по отдельности за счет разворота держателя подложек в целом и минимизация перемещения подложек при их загрузке в кластер реакторов. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к реакторам осаждения с плазменным источником. Установка для плазменного атомно-слоевого осаждения содержит газовую линию от источника химически неактивного газа к расширительному устройству для подачи радикалов, открывающемуся в реакционную камеру, удаленный плазменный источник, систему управления потоком газа из источника химически неактивного газа через удаленный плазменный источник к расширительному устройству для подачи радикалов в течение всего периода плазменного атомно-слоевого осаждения, реактор плазменного атомно-слоевого осаждения, выполненный с возможностью осаждения материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. Обеспечивается возможность атомно-слоевого осаждения на термочувствительные подложки при очень низких температурах. 6 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 пр.
Изобретение относится к реактору и способу осаждения слоев металла на подложку. Подающее устройство реактора ограничивает расширительное пространство, предназначенное для проведения реагентов в виде нисходящего потока от плазменного источника (110) по направлению к реакционной камере. Расширительное пространство расширяют по направлению к реакционной камере (335). Подъемный механизм предназначен для загрузки по меньшей мере одной подложки (360) в реакционную камеру с верхней стороны реакционной камеры (335). Реактор осаждения имеет конфигурацию, обеспечивающую осаждение материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 17 ил.
