Патенты автора КОСТАМО, Юхана (FI)
Изобретение относится к устройству для атомно-слоевого осаждения (ALD) покрытия на поверхность подложки. Указанное устройство содержит реакционную камеру, расположенную внутри вакуумной камеры, с возможностью размещения подложки или партии подложек, газовпускное устройство и форлинию, выполненные с возможностью обеспечения горизонтального потока газа в реакционной камере. Форлиния сконфигурирована выходящей из реакционной камеры и проходящей внутри вакуумной камеры наружу вакуумной камеры. Обеспечивается возможность одновременной дегазации и/или нагрева, обработки ALD, включая возможность регулировки уровней вакуума между промежуточным пространством и реакционной камерой, стабилизации температуры подложек в реакционной камере и охлаждения, включая регулировку давления выгрузки. 24 з.п. ф-лы, 13 ил.
Предложенная группа изобретений относится к атомно-слоевому осаждению. Система для атомно-слоевого осаждения (ALD) содержит узел реакционной камеры, содержащий вакуумную камеру, реакционную камеру внутри вакуумной камеры, газовпускное устройство и форлинию, выполненные с возможностью обеспечения горизонтального потока газа в реакционной камере, приводное устройство, содержащее крышку реакционной камеры, и по меньшей мере первый узел загрузочного шлюза, содержащий первый загрузочный шлюз. Приводное устройство выполнено с возможностью приема подложки или партии подложек, подлежащих обработке, и переноса подложки или партии подложек через первый загрузочный шлюз горизонтально в вакуумную камеру. Приводное устройство дополнительно выполнено с возможностью опускать подложку или партию подложек внутри вакуумной камеры в реакционную камеру, таким образом закрывая реакционную камеру крышкой. Способ ALD с использованием упомянутой системы ALD включает перенос подложки или партии подложек в первый загрузочный шлюз, их перенос далее из первого загрузочного шлюза через первый загрузочный клапан и загрузочное отверстие горизонтально в вакуумную камеру, прием в вакуумной камере и опускание в реакционную камеру внутри вакуумной камеры. Факт опускания обеспечивает закрытие реакционной камеры крышкой, выполнение атомно-слоевого осаждения в реакционной камере, подъем подложки или партии подложек из реакционной камеры, прием подложки или партии подложек из реакционной камеры и перенос подложки или партии подложек через первый или второй загрузочный клапан и загрузочное отверстие из вакуумной камеры в первый или второй загрузочный шлюз. Обеспечивается усовершенствованная система атомно-слоевого осаждения с высокопроизводительной обработкой подложек партиями. 7 н. и 21 з.п. ф-лы, 13 ил.
Изобретение относится к способу и устройству атомно-слоевого осаждения покрытия на поверхность подложки. Осуществляют последовательность атомно-слоевого осаждения, включающую по меньшей мере один цикл осаждения, причем в каждом цикле образуется монослой осажденного материала. Цикл осаждения включает доставку по меньшей мере частиц первого предшественника и частиц второго предшественника к поверхности подложки, находящейся в реакционной камере. Частицы первого предшественника и частицы второго предшественника одновременно присутствуют в реакционной камере в газовой фазе. Цикл осаждения включает период активации и период регенерации, при этом в течение периода активации частицы первого предшественника, адсорбированные на поверхности подложки в течение предшествующего периода регенерации, переходят в возбужденное состояние под действием энергии фотонов, вследствие чего адсорбированные частицы первого предшественника реагируют на поверхности с частицами второго предшественника, который находится в газовой фазе. А в течение последующего периода регенерации частицы первого предшественника, который находится в газовой фазе, реагируют с частицами второго предшественника, адсорбированными на поверхности в течение периода активации. Упомянутое устройство содержит реакционную камеру, по меньшей мере одну подающую линию и управляющую систему, предназначенную для управления устройством для выполнения последовательности атомно-слоевого осаждения. Управляющая система дополнительно предназначена для обеспечения одновременного присутствия паров, содержащих частицы первого предшественника и частицы второго предшественника, в газовой фазе в реакционной камере. Устройство содержит источник фотонов для возбуждения в течение периода активации под действием энергии фотонов частиц первого предшественника, адсорбированных на поверхности подложки в течение предшествующего периода регенерации. Обеспечивается более высокая скорость атомно-слоевого осаждения, более низкая температура обработки и упрощенное использование химических веществ. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 12 ил.
СПОСОБ ЗАГРУЗКИ ПОДЛОЖКИ В РЕАКТОР АСО // 2620230
Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном осуществлении самоограниченных поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения материала на партию подложек включает загрузку партии подложек в держатель подложек, находящийся в загрузочной камере реактора для нанесения материала, с формированием в держателе подложек вертикальной стопы горизонтально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна на другой, и разворот держателя подложек для получения горизонтальной стопы вертикально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна за другой, и опускание держателя подложек в реакционную камеру указанного реактора для нанесения материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций путем воздействия на партию подложек разделенными во времени импульсами подачи прекурсоров. Аппарат для осуществления упомянутого способа содержит механизм разворота, выполненный для разворота держателя подложек для получения горизонтальной стопы вертикально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна за другой, и подъемник, выполненный для опускания держателя подложек в реакционную камеру указанного реактора, для нанесения материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций путем воздействия на партию подложек разделенными во времени импульсами подачи прекурсоров. Обеспечивается система загрузки сверху реактора для нанесения материалов с вертикальным потоком газов, позволяющая загружать подложки, ориентированные горизонтально, а также устраняется необходимость в развороте каждой подложки по отдельности за счет разворота держателя подложек в целом и минимизация перемещения подложек при их загрузке в кластер реакторов. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к реакторам осаждения с плазменным источником. Установка для плазменного атомно-слоевого осаждения содержит газовую линию от источника химически неактивного газа к расширительному устройству для подачи радикалов, открывающемуся в реакционную камеру, удаленный плазменный источник, систему управления потоком газа из источника химически неактивного газа через удаленный плазменный источник к расширительному устройству для подачи радикалов в течение всего периода плазменного атомно-слоевого осаждения, реактор плазменного атомно-слоевого осаждения, выполненный с возможностью осаждения материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. Обеспечивается возможность атомно-слоевого осаждения на термочувствительные подложки при очень низких температурах. 6 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 пр.
Изобретение относится к реактору и способу осаждения слоев металла на подложку. Подающее устройство реактора ограничивает расширительное пространство, предназначенное для проведения реагентов в виде нисходящего потока от плазменного источника (110) по направлению к реакционной камере. Расширительное пространство расширяют по направлению к реакционной камере (335). Подъемный механизм предназначен для загрузки по меньшей мере одной подложки (360) в реакционную камеру с верхней стороны реакционной камеры (335). Реактор осаждения имеет конфигурацию, обеспечивающую осаждение материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 17 ил.
